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K12A53D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K12A53D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K12A53D-VB

K12A53D-VB概述

    K12A53D-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K12A53D-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及各种照明系统(如高强放电灯HID和荧光灯照明)等领域。其核心优势在于低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),这些特性使得其在电力转换应用中能够显著减少损耗并提高效率。

    2. 技术参数


    以下是 K12A53D-VB 的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 3 | - | 5 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | - | Ω | (VGS = 10 V, ID = 8 A) |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 有效输出电容(能量相关) | Co(er) | - | 63 | - | pF |
    | 有效输出电容(时间相关) | Co(tr) | - | 213 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 4 | 96 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 5 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 22 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    K12A53D-VB 具有多项独特的优势,使其在市场上具备强大的竞争力:
    - 低损耗特性:通过极低的导通电阻(RDS(on))和超低的门极电荷(Qg),可以显著降低转换过程中的损耗,提升整体能效。
    - 快速开关性能:较低的输入电容(Ciss)和超低的门极电荷,有助于加快开关速度,减少能量损失。
    - 增强可靠性:经受重复脉冲应力测试(UIS),保证在极端条件下的可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    K12A53D-VB 的典型应用场景包括:
    - 服务器和电信电源:用于数据中心的高效电源管理。
    - 照明系统:适用于高强放电灯和荧光灯的驱动电路。
    - 工业应用:广泛应用于需要高可靠性和高效能的工业控制设备中。
    使用建议:
    - 在进行开关电源设计时,考虑到 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 +150°C,选择合适的工作点,确保其工作温度不超过最大允许值。
    - 由于该 MOSFET 在重复脉冲下的稳定性良好,适合在高压环境中使用,但需要考虑其散热问题以避免热失控现象的发生。

    5. 兼容性和支持


    K12A53D-VB 与多种电源管理芯片和控制系统兼容,可用于构建各类复杂的电力转换系统。VBsemi 提供详尽的技术支持文档及专业咨询服务,帮助用户快速上手并优化其应用效果。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何正确测量 K12A53D-VB 的导通电阻?
    - 解决方案:使用合适的仪器,在 VGS = 10 V 条件下,测量漏电流 ID 为 8 A 时的导通电阻 RDS(on)。
    问题2:MOSFET 在高频应用中出现发热严重的问题如何解决?
    - 解决方案:优化 PCB 布局,降低寄生电感,增加散热措施如使用散热片或散热风扇,以提高热管理效率。

    7. 总结和推荐


    总体而言,K12A53D-VB N-Channel 650V Power MOSFET 以其卓越的性能和广泛的适用性,在电力转换和高效能电子设备中展现出显著的优势。对于需要高性能、低损耗和高可靠性的应用,我们强烈推荐使用这款 MOSFET。

K12A53D-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K12A53D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K12A53D-VB数据手册

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K12A53D-VB封装设计

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