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HUF76413P3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: HUF76413P3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF76413P3-VB

HUF76413P3-VB概述

    HUF76413P3-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HUF76413P3-VB 是一款 N-Channel 60V(漏源电压)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它主要用于表面贴装,且以带卷形式提供。这款MOSFET具有逻辑级门驱动能力,能够在高频应用中实现快速开关。此外,它符合RoHS指令和无卤素要求,适用于广泛的工业和消费电子产品。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID): 50 A (TC = 25 °C), 36 A (TC = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 400 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 150 W (TC = 25 °C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS): 60 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 - 2.5 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.024 Ω (VGS = 10 V), 0.028 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 转移电导 (gfs): 23 S
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 190 pF
    - 输出电容 (Coss): -
    - 反向转移电容 (Crss): -
    - 总栅极电荷 (Qg): 66 nC
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 62 °C/W
    - 最大结到环境热阻(PCB安装)(RthJA): 40 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    HUF76413P3-VB 的显著特点包括:
    - 无卤素和符合RoHS标准,环保合规。
    - 快速开关时间,适用于高频应用。
    - 高峰值电压变化率 (dv/dt),增强了抗扰能力和可靠性。
    - 逻辑级门驱动能力,简化了电路设计。
    - 高重复性脉冲电流能力,适合瞬态应用。

    4. 应用案例和使用建议


    HUF76413P3-VB 主要应用于需要高速切换和高频率的应用场合,例如:
    - 电源转换和逆变器系统。
    - 驱动电机和电池管理系统的应用。
    - 高频滤波和调制应用。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,考虑增加散热措施以避免过热。
    - 确保 PCB 设计时接地平面充足,减少杂散电感。
    - 注意应用中的温度范围限制,确保在极端条件下也能稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    HUF76413P3-VB 支持多种电路设计和应用,与常见的 PCB 尺寸兼容(1 英寸方形 PCB)。VBsemi 提供技术支持和服务,确保客户能够充分利用该产品。此外,该产品也与其他同类设备和电路板兼容,便于集成到现有系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 电路启动后 MOSFET 发热严重。
    - 解决办法: 检查 PCB 设计,确保良好的散热路径;增加散热片或风扇辅助散热。

    - 问题: 频繁开关时 MOSFET 损坏。
    - 解决办法: 减少开关频率或增加缓冲电路,减轻冲击电流的影响。

    7. 总结和推荐


    HUF76413P3-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,适用于多种高频应用。其独特的功能和优势使其在市场上具有较高的竞争力。对于需要快速开关和高频率响应的应用,推荐使用此产品。然而,在选择此产品时,请务必考虑应用的具体需求和环境条件,以确保最佳性能和稳定性。

HUF76413P3-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HUF76413P3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF76413P3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF76413P3-VB HUF76413P3-VB数据手册

HUF76413P3-VB封装设计

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