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UT4406G-S08-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOP8\n适用于低功率控制和驱动应用,包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。
供应商型号: UT4406G-S08-T-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4406G-S08-T-VB

UT4406G-S08-T-VB概述

    UT4406G-S08-T N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT4406G-S08-T 是一款适用于电力电子领域的 N 沟道 MOSFET,它具有高效能和紧凑设计的特点。此产品主要用于同步整流、点对点转换器(POL)、输入总线转换器(IBC)以及副边侧的应用。该器件符合无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义),并且完全符合欧盟的 RoHS 指令(2002/95/EC)。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):40V
    - 最大连续漏极电流(TJ=150°C):5A (TC=25°C), 2.1A (TA=25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):50A
    - 突发电压(IAS):15A
    - 突发能量(EAS):11mJ
    - 静态门极-源极泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 在 VDS = 40V, VGS = 0V 下的零门电压漏极电流(IDSS):1μA
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):40V (VGS = 0V, ID = 250μA)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1V 至 3V (VDS = VGS, ID = 250μA)
    - 导通状态下的漏源电阻(RDS(on)):0.014Ω (VGS = 10V, ID = 12.4A),0.016Ω (VGS = 4.5V, ID = 10.8A)
    - 输入电容(Ciss):2000pF (VDS = 20V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):260pF
    - 逆向传输电容(Crss):150pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷(Qg):33nC (VDS = 10V, VGS = 10V, ID = 12.4A),15nC (VDS = 10V, VGS = 4.5V, ID = 12.4A)
    - 门极-源极电荷(Qgs):6.7nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):5.1nC
    - 开启延迟时间(td(on)):25ns (VDD = 20V, RL = 2Ω, ID ≅ 10A, VGEN = 4.5V, Rg = 1Ω)
    - 上升时间(tr):12ns
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻(RthJA):37°C/W(典型值),50°C/W(最大值)
    - 最大结到引脚(漏极)稳态热阻(RthJF):17°C/W(典型值),21°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    UT4406G-S08-T 的主要优势在于其高效的性能和高可靠性。它采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术,确保了低导通电阻(RDS(on))和出色的开关性能。此外,100% Rg 和 UIS 测试的全面验证确保了产品的质量,使其适用于高压电力电子应用。

    应用案例和使用建议


    UT4406G-S08-T 主要应用于同步整流和 POL/IBC 中的副边侧。例如,在一个需要高效率的 DC-DC 转换器中,这款 MOSFET 可以有效地减少能量损耗并提高系统整体性能。对于需要高可靠性系统的应用,建议在高温环境下进行充分测试,以确保最佳工作状态。

    兼容性和支持


    该器件与多种电路板兼容,并且可以方便地通过 SO-8 封装进行焊接。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,以确保用户能够正确安装和使用该产品。此外,详细的在线文档和应用指南可供参考。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何判断 MOSFET 是否过热?
    - 答:可以通过测量温度来判断,确保不超过规定的工作温度范围(-55°C 至 150°C)。如果温度过高,考虑增加散热措施或降低负载电流。
    2. 问:在高压应用中应注意哪些事项?
    - 答:确保 VDS 不超过 40V,并遵循绝对最大额定值中的指导原则。适当的电路设计和布局是关键,以避免损坏。

    总结和推荐


    综上所述,UT4406G-S08-T N 沟道 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电力电子器件,适合于多种工业应用。它的低导通电阻和出色的开关性能使其成为许多高压应用的理想选择。强烈推荐在需要高效能和高可靠性的场合使用此产品。

UT4406G-S08-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@10V,16mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4406G-S08-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4406G-S08-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4406G-S08-T-VB UT4406G-S08-T-VB数据手册

UT4406G-S08-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.5546
100+ ¥ 1.4394
500+ ¥ 1.3818
4000+ ¥ 1.3243
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起订量: 20 增量: 4000
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