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QM6015B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-80A,RDS(ON),21mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2.1Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: QM6015B-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM6015B-VB

QM6015B-VB概述

    P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款采用 TrenchFET® 技术的功率 MOSFET,具有高性能和可靠性。该器件主要用于负载开关(Load Switch)应用,能够在多种工业和消费电子产品中发挥作用。其主要特点包括100%的UIS测试通过率,确保了器件在极端条件下的稳定性。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的主要技术规格和技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | -80 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 150 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 101 | mJ |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | - | -1 | -10 | µA |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) | - | -120 | - | A |
    | 导通状态漏极源电阻 | RDS(on) | 0.019 | - | 0.025 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 3500 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 390 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | 290 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 76 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:高效率和低导通电阻。
    - 100% UIS 测试通过:确保在极端条件下仍然可靠。
    - 宽工作温度范围:-55°C 到 150°C,适用于各种严苛环境。
    - 高功率处理能力:最大功率耗散可达104.2W。

    4. 应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于负载开关、电源管理等领域。在实际应用中,由于其高可靠性和宽温范围,可以满足大多数工业和消费电子产品的需求。为了更好地利用该器件,建议在设计电路时考虑散热问题,并根据具体应用调整驱动电路的设计,以充分发挥其性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准D2PAK封装兼容,可轻松集成到现有系统中。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持和文档,包括详细的安装指南和应用笔记。

    6. 常见问题与解决方案


    1. Q:如何确定合适的驱动电压?
    - A:一般建议使用负电压(如-10V)来驱动,以确保达到最低的RDS(on)。

    2. Q:在高温环境下使用是否会降低性能?
    - A:虽然在高温下性能会有所下降,但该器件经过特殊设计,可以在150°C的工作温度范围内保持稳定。
    3. Q:如何提高器件的使用寿命?
    - A:正确的热管理和良好的驱动电路设计可以显著延长器件的使用寿命。

    7. 总结和推荐


    P-Channel 60-V MOSFET凭借其高效、可靠和广泛的工作温度范围,在众多应用中表现出色。特别是对于需要高性能负载开关的应用场合,这款器件是一个理想的选择。因此,强烈推荐此产品用于相关项目的设计中。

QM6015B-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 80A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@10V,25mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM6015B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM6015B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM6015B-VB QM6015B-VB数据手册

QM6015B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
800+ ¥ 4.1395
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