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K3130-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K3130-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3130-VB

K3130-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用的电子元器件,特别适用于高频开关应用。它具有低导通电阻(RDS(on))和低输入电容(Ciss),能够显著减少切换和导通损耗。此款Power MOSFET在服务器、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及工业应用中均有广泛的应用。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大栅源电压(VGS):± 30 V
    - 连续漏电流(ID):35 A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):取决于最大结温
    - 绝对最大额定值:
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97 mJ
    - 最大耗散功率(PD):140 W
    - 工作结温和存储温度范围:-55 至 +150 °C
    - 规范(TJ = 25 °C,除非另有说明):
    - 静态:
    - 漏源击穿电压(VDS):650 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.5 - 5 V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):1 μA
    - 动态:
    - 输入电容(Ciss):未提供
    - 输出电容(Coss):未提供
    - 反向转移电容(Crss):未提供
    - 总栅电荷(Qg):未提供
    - 开启延迟时间(td(on)):未提供

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):显著降低了开启和关闭过程中的能耗。
    2. 低输入电容(Ciss):减少了高频下的开关损耗。
    3. 增强的热阻抗:确保在高功率密度下的可靠运行。
    4. 卓越的雪崩能量等级(UIS):具备出色的瞬态保护能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:用于高效率电源转换系统。
    2. 工业照明:适用于高压钠灯(HID)和荧光灯泡驱动。
    3. 功率因数校正电路:提高系统的能效。
    使用建议
    - 在高功率应用中,应注意散热设计,以保持良好的工作温度。
    - 在高频开关应用中,选择合适的栅极驱动器以避免过高的栅极电压应力。
    - 为了优化性能,在使用过程中注意匹配合适的外围元件(如栅极电阻、退耦电容)。

    兼容性和支持


    此款Power MOSFET支持与其他标准电子元器件的兼容,例如常见的SMPS控制器和驱动器。制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助用户进行设计和故障排查。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确测量栅极电荷(Qg)?
    - 解决方案:使用专门的测试电路,并遵循制造商提供的测试指南进行操作。
    2. 如何防止栅极电压应力过高?
    - 解决方案:选择适当的栅极电阻和合适的驱动器,以限制栅极电压的变化速率。
    3. 如何优化电源系统的散热性能?
    - 解决方案:采用散热片和散热器,优化PCB布局以降低热阻,确保良好的气流。

    总结和推荐


    这款Power MOSFET凭借其卓越的性能参数和广泛的应用领域,无疑是市场上值得信赖的选择。其独特的低栅极电荷、低输入电容等特点使其成为服务器电源、电信电源和工业应用的理想选择。我们强烈推荐此款产品,特别是对于那些追求高效和可靠性能的工程师和设计师。
    本文档仅供参考,具体应用时请参考制造商提供的详细技术资料和规范。

K3130-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3130-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3130-VB数据手册

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K3130-VB封装设计

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