处理中...

首页  >  产品百科  >  FS14KM-10A-VB

FS14KM-10A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: FS14KM-10A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS14KM-10A-VB

FS14KM-10A-VB概述

    FS14KM-10A-VB N-Channel 550V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FS14KM-10A-VB 是一款 N-通道 550V 功率 MOSFET,专为高效能、低损耗的设计而开发。它具有低电阻、低输入电容和高雪崩耐受能力,适用于消费电子、服务器和电信电源、工业设备(如焊接和感应加热)以及电机驱动等多种应用场合。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \):550 V
    - 在 25°C 下的漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):0.26 Ω(\( V{GS} = 10 \) V)
    - 最大栅极充电 \( Qg \):150 nC
    - 输出电容 \( C{oss} \):152 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):13 pF
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):550 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):± 20 V(AC 频率 > 1 Hz:30 V)
    - 持续漏电流(\( TJ = 150 °C \)):18 A(\( TC = 100 °C \):11 A)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):281 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \):60 W
    - 工作结温及存储温度范围:\( T{J}, T{STG} \):-55 到 +150 °C
    - 瞬态电压变化率 \( dV/dt \):24 V/ns(\( TJ = 125 °C \))
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):550 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):2-4 V
    - 漏源开态电阻 \( R{DS(on)} \):0.26 Ω(\( V{GS} = 10 \) V,\( ID = 10 \) A)
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \):3094 pF
    - 有效输出电容(能量相关)\( C{O(er)} \):131 pF
    - 有效输出电容(时间相关)\( C{O(tr)} \):189 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):80-150 nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \):24-50 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \):117-176 ns
    - 峰值反向恢复电流 \( I{RRM} \):25 A
    - 反向恢复电荷 \( Q{rr} \):5.9 μC
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \):437 ns

    产品特点和优势


    1. 低电阻区特定导通电阻:提供高效的电流路径。
    2. 低输入电容:减少门极充电损耗。
    3. 快速开关:降低能耗和发热。
    4. 高雪崩耐受性:增加可靠性。
    5. 低成本:简化设计并降低成本。

    应用案例和使用建议


    - 消费电子:适用于 LCD 或等离子电视显示器。
    - 服务器和电信电源:广泛应用于开关电源(SMPS)中。
    - 工业应用:焊接、感应加热、电机驱动等领域。
    - 电池充电器:适用于高效率电池充电系统。
    - 电力因数校正(PFC):提高能源效率。
    使用建议:
    1. 为了提高效率,在高功率应用中使用此 MOSFET。
    2. 选择适当的栅极电阻以确保快速稳定的开关速度。
    3. 考虑散热设计,特别是在高温环境中使用时。

    兼容性和支持


    - 该 MOSFET 具有广泛的适用性,可与多种电路和系统兼容。
    - 提供制造商技术支持,包括设计指南和故障排除工具。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高频开关过程中发热严重
    - 解决方案:改善散热设计,使用合适的散热片或热管。
    2. 问题:栅极充电损耗过高
    - 解决方案:选用更低输入电容的 MOSFET 或优化电路布局以减少寄生电容。
    3. 问题:开关时间过长
    - 解决方案:检查电路设计中的栅极电阻和电容配置,确保符合应用要求。

    总结和推荐


    FS14KM-10A-VB MOSFET 是一款高性能、低损耗的功率器件,适用于多种高要求的应用场合。其卓越的电气特性使其成为许多领域的理想选择。考虑到其可靠性和广泛应用,我们强烈推荐使用此产品。

FS14KM-10A-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 550V
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FS14KM-10A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS14KM-10A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FS14KM-10A-VB FS14KM-10A-VB数据手册

FS14KM-10A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 116.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336