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IRF1404ZSPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: IRF1404ZSPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF1404ZSPBF-VB

IRF1404ZSPBF-VB概述

    IRF1404ZSPBF-VB 技术手册

    产品简介


    IRF1404ZSPBF-VB 是一款N沟道40V TrenchFET®功率MOSFET器件,适用于多种电源管理应用,如同步整流和电源供应。该器件具备卓越的开关性能和低导通电阻,使其在高效率和高性能电源系统中具有显著优势。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 45V
    - 栅源击穿电压 \(V{GS}\): ±25V
    - 连续漏极电流 \(ID\): 150A (25°C),70°C时降至110A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 80A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 320mJ
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): 在\(V{GS}=10V\)时为0.0017Ω,在\(V{GS}=4.5V\)时为0.0025Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 9000pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 650pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 450pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 120~180nC
    - 动态参数
    - 开通延迟时间 \(t{d(on)}\): 20~30ns
    - 关断延迟时间 \(t{d(off)}\): 77~115ns
    - 栅极电阻 \(Rg\): 0.85~1.3Ω
    - 热阻抗
    - 结点到环境的最大稳态热阻 \(R{thJA}\): 32°C/W
    - 结点到外壳的最大稳态热阻 \(R{thJC}\): 0.33°C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:在\(V{GS}=10V\)时仅0.0017Ω,在\(V{GS}=4.5V\)时为0.0025Ω,这确保了其在高电流应用中的低功耗和高效率。
    2. 快速开关性能:其极短的开通延迟时间和关断延迟时间(分别在20~30ns和77~115ns),使其成为高效能电源转换器的理想选择。
    3. 出色的可靠性:所有器件均通过了100%的Rg和UIS测试,确保了其在极端条件下的可靠性能。
    4. 符合RoHS标准:适用于环保要求严格的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IRF1404ZSPBF-VB 广泛应用于计算机电源、电信设备和工业电源系统中的同步整流和DC-DC转换器。例如,它可以在服务器电源系统中实现高效率的直流电转换。
    - 使用建议:由于其低功耗和高效率特性,建议在需要极高效率的应用中使用。此外,要特别注意散热设计,以防止过热导致器件失效。建议使用大尺寸散热片并优化电路板布局来提高热传导性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF1404ZSPBF-VB 可与其他常用的电源管理IC和分立器件兼容,可方便地集成到现有的电源管理系统中。
    - 支持:提供详细的用户手册和技术支持服务,客户可通过官方服务热线400-655-8788获得技术支持和问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择正确的栅极电阻 \(Rg\)?
    - 解决方案:根据数据手册推荐值选择,通常在0.85~1.3Ω之间,确保良好的驱动特性同时避免过高的栅极损耗。
    2. 问题:如何确定最大允许电流?
    - 解决方案:参考数据手册中的绝对最大额定值,特别是在高温条件下(如120°C)需降低电流,以确保器件安全运行。
    3. 问题:如何进行散热设计?
    - 解决方案:采用大尺寸散热片,并确保PCB有足够的散热通路,避免热点形成。

    总结和推荐


    IRF1404ZSPBF-VB 凭借其低导通电阻、高效率和快速开关性能,在电源管理和电源转换应用中表现出色。其优秀的可靠性以及对高温环境的适应能力,使其成为高性能电源系统的理想选择。强烈推荐在需要高效、高可靠性的应用中使用此产品。
    通过详细解析IRF1404ZSPBF-VB的技术参数、特点、应用案例及使用建议,本文旨在帮助工程师们更好地理解该器件的应用价值,并为其在各类电力电子设备中的部署提供实用指导。

IRF1404ZSPBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 180A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF1404ZSPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF1404ZSPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF1404ZSPBF-VB IRF1404ZSPBF-VB数据手册

IRF1404ZSPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.8584
500+ ¥ 4.664
800+ ¥ 4.4697
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