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NP32N055SLE-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: NP32N055SLE-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP32N055SLE-E1-AY-VB

NP32N055SLE-E1-AY-VB概述

    NP32N055SLE-E1-AY N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP32N055SLE-E1-AY 是一款采用 TrenchFET® 技术的高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品适用于多种高功率应用,如电源管理、电机驱动和开关稳压器等。其独特的技术特性和卓越的性能使其成为众多应用的理想选择。

    技术参数


    - 工作电压 (VDS): 60V
    - 导通电阻 (rDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 时为 0.025Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时为 0.030Ω
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时为 100A
    - TC = 100°C 时为 45A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 100A
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 热阻 (RthJA): 最大值 22°C/W(瞬态)
    - 封装: TO-252
    - 脚位配置: G (栅极), D (漏极), S (源极)
    - 环保标准: 符合 RoHS 和无卤素标准

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:工作温度可达 175°C,适合严苛的工业环境。
    2. 低导通电阻:较低的导通电阻降低了功耗,提高了效率。
    3. 高速开关特性:具备快速开关特性,适用于高频应用。
    4. 良好的热稳定性:出色的热阻特性保证了长时间稳定工作。
    5. 环保材料:符合RoHS和无卤素标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:可用于电源适配器、开关电源等。
    - 电机驱动:适用于各种电动工具、工业自动化设备中的电机驱动。
    - 开关稳压器:在DC-DC转换器中使用,以提高效率和可靠性。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中充分散热,以防止过热。
    - 选用合适的驱动电路,以充分发挥其高速开关特性。
    - 严格控制输入电压,避免超出额定电压范围。

    兼容性和支持


    NP32N055SLE-E1-AY 支持与同类标准的TO-252封装的其他器件互换使用。制造商提供了全面的技术支持,包括在线文档、电话和技术支持服务,确保客户能够充分利用产品的各项功能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作时温度过高。
    - 解决办法:增加散热片或使用更大散热面积的PCB布局,确保良好的热管理。
    2. 问题:输出电流不稳定。
    - 解决办法:检查输入电压是否稳定,确保外部电路正常。
    3. 问题:频率响应不佳。
    - 解决办法:优化驱动电路设计,选用适当的驱动电阻以匹配工作频率。

    总结和推荐


    NP32N055SLE-E1-AY 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备优异的性能参数和可靠性,适用于多种高功率应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和环保材料使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高效能和可靠性的应用场景,强烈推荐使用此产品。
    注:本文档仅供参考,具体应用前请详细阅读完整的产品技术手册并咨询技术支持。

NP32N055SLE-E1-AY-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 45A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP32N055SLE-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP32N055SLE-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP32N055SLE-E1-AY-VB NP32N055SLE-E1-AY-VB数据手册

NP32N055SLE-E1-AY-VB封装设计

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100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
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