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IRF7421D1TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n双P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8\n双通道功率场效应管,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。
供应商型号: IRF7421D1TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7421D1TRPBF-VB

IRF7421D1TRPBF-VB概述


    产品简介


    Dual P-Channel 30-V MOSFET(双沟道P-沟道30V MOSFET)
    产品类型:本产品是一款采用TrenchFET技术的双沟道P-沟道MOSFET。它具有两个独立的沟道,能够同时控制两个电路通断,广泛应用于负载开关等场景。
    主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 能够承受高电压(VDS)
    - 快速开关速度
    - 具备良好的热稳定性
    应用领域:
    - 电源管理电路
    - 开关电源
    - 高压控制系统
    - 工业自动化设备
    - 汽车电子系统

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压(VDS):最大值30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 最大连续漏极电流(ID):-7.3A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):20mJ
    - 最大功率耗散(PD):5.0W(TC = 25°C)

    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):最小值-30V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):典型值1.0~3.0V
    - 门源泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 零门电压漏极电流(IDSS):-1μA
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):1350pF
    - 输出电容(Coss):215pF
    - 门栅电荷(Qg):典型值32nC
    - 上升时间(tr):8~15ns
    - 关断延迟时间(td(off)):40~70ns

    产品特点和优势


    - 高性能:该MOSFET具有低导通电阻(RDS(on)),能够在各种工作条件下提供出色的电流控制能力。
    - 快速响应:得益于低输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),该产品能实现快速开关操作,提高电路效率。
    - 高可靠性:采用了Halogen-free材料,符合环保要求;并且经过100% UIS测试,确保在极限条件下可靠运行。
    - 温度适应性:具有宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C),适用于各种极端环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理系统:该MOSFET可用于直流电源转换器中作为负载开关,帮助调节电流并保护下游设备免受过流冲击。
    - 汽车电子:用于电池管理系统(BMS),实现高效能量管理和过压保护。
    使用建议
    - 在设计应用电路时,要考虑到该MOSFET的最大电流和电压限制,确保在额定范围内使用。
    - 利用其低导通电阻特性,在需要高效率的场合下可以减少功耗。
    - 针对高速开关的应用,需注意选择合适的门极驱动电路以优化开关速度和降低电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品为SO-8封装形式,易于安装和替换,适合大多数标准PCB布局。
    - 支持和服务:制造商提供了详尽的技术手册和支持文档,客户可以通过官网或客服热线(400-655-8788)获得进一步的技术咨询和售后保障。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高的漏电流 | 确保电路接线无误,并检查栅极电压是否正常 |
    | 寿命短、可靠性差 | 定期检测电路板温升情况,避免长期过载运行 |
    | 无法实现正常开关 | 检查驱动信号波形是否正确,确保VGS高于阈值电压 |

    总结和推荐


    总体而言,这款IRF7421D1TRPBF双沟道P-沟道MOSFET凭借其出色的性能参数和广泛应用能力,在电源管理和工业自动化领域表现出色。它的低导通电阻、高可靠性以及出色的温度适应性使其成为各种高要求场合的理想选择。因此,强烈推荐给那些寻求高性能和高可靠性的设计者们。

IRF7421D1TRPBF-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7421D1TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7421D1TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7421D1TRPBF-VB IRF7421D1TRPBF-VB数据手册

IRF7421D1TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
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型号 价格(含增值税)
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