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JCS640C-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: JCS640C-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS640C-O-C-N-B-VB

JCS640C-O-C-N-B-VB概述

    JCS640C-O-C-N-B-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS640C-O-C-N-B-VB 是一种高性能的 N 沟道 200V(漏极到源极)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 集成了 TrenchFET® 技术,使其具备出色的导电能力和高可靠性,适用于多种电力电子应用。其主要特点包括高功率处理能力、优异的温度稳定性以及符合 RoHS 标准的环保设计。

    技术参数


    以下是 JCS640C-O-C-N-B-VB 的主要技术参数:
    - 漏极-源极电压 (VDS):200 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):125°C 下为 12 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大 70 A
    - 最大功率耗散 (PD):25°C 下为 126 W
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 175°C
    - 漏极-源极通态电阻 (RDS(on)):在 10 V 栅源电压下,典型值为 0.120 Ω,最大值为 0.150 Ω
    - 栅极电荷 (Qg):典型值为 34 nC,最大值为 51 nC

    产品特点和优势


    JCS640C-O-C-N-B-VB 具有以下显著特点和优势:
    - TrenchFET® 技术:提升开关速度和降低导通电阻,提高效率。
    - 高温稳定性:能在高达 175°C 的温度下稳定工作,适用于严苛的工业环境。
    - PWM 优化:专为脉宽调制应用优化,适用于电源转换和驱动控制等领域。
    - 100% Rg 测试:确保产品质量和可靠性。
    - RoHS 合规:符合欧盟 RoHS 标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    JCS640C-O-C-N-B-VB 可广泛应用于以下场景:
    - 主开关:作为开关电源中的主开关管,如 DC/DC 转换器和 AC/DC 整流器。
    - 电机驱动:用于电机控制系统的驱动电路中,提高系统效率。
    - 电池管理:作为电池保护和管理系统中的关键组件。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热设计,避免因过热导致的损坏。
    - 根据具体应用场景调整栅极电阻,以优化开关性能。

    兼容性和支持


    JCS640C-O-C-N-B-VB 采用 TO-220AB 封装,易于安装和集成。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线文档和热线电话(400-655-8788),以确保客户能够获得最佳使用体验。

    常见问题与解决方案


    以下是部分常见问题及其解决方案:
    - 问题:器件过热
    - 解决方案:加强散热设计,确保良好的热传导。
    - 问题:开关损耗大
    - 解决方案:优化栅极驱动电路,减小开关时间。

    总结和推荐


    JCS640C-O-C-N-B-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 200V MOSFET,特别适合需要高效能和高温度稳定性的电力电子应用。其优异的电气特性和坚固的设计使其成为众多工业和消费电子产品中的理想选择。强烈推荐用于需要高功率处理能力和严格温度要求的应用场合。
    如果您有任何疑问或需要进一步的支持,请联系制造商的服务热线:400-655-8788。

JCS640C-O-C-N-B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
Id-连续漏极电流 30A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS640C-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS640C-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS640C-O-C-N-B-VB JCS640C-O-C-N-B-VB数据手册

JCS640C-O-C-N-B-VB封装设计

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