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UT02N65F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: UT02N65F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT02N65F-VB

UT02N65F-VB概述

    UT02N65F N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:UT02N65F 是一种 N-Channel 650V 功率 MOSFET,适用于高压电力转换和驱动应用。
    主要功能:
    - 低门极电荷(Qg):简单驱动要求
    - 改进的门极、雪崩及动态 dV/dt 牢固性
    - 全面表征电容和雪崩电压电流
    应用领域:
    - 工业控制
    - 电源转换
    - 电机驱动
    - 新能源汽车逆变器

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):1.28A (TC = 25°C), 8A (Pulse)
    - 栅源电荷 (Qg):最大值 11nC
    - 导通电阻 (RDS(on)):4.0Ω (VGS = 10V)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):165mJ
    - 最大功率耗散 (PD):25W (TC = 25°C)
    - 热阻 (RthJA):65°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:减少驱动需求,简化电路设计。
    - 高耐压能力:650V 的额定电压使其适用于高压系统。
    - 坚固耐用:改进的门极、雪崩和动态 dV/dt 牢固性提高使用寿命。
    - 全面测试:提供门极、源极、漏极及雪崩电压电流的详细测试数据。
    - 符合 RoHS 规范:满足环保标准,适用于广泛的工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:UT02N65F 可用于交流到直流转换器、直流到直流转换器中。
    - 电机驱动:应用于电动机控制系统中,实现高效能电机驱动。
    - 新能源汽车:适合用于电动汽车逆变器系统中,提高能源效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意功率耗散和温度管理。
    - 使用门极驱动器时,选择合适的驱动电阻以减少 Qg 和提高开关速度。
    - 在应用中注意避免过载和反向电压冲击,保护器件安全。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 其他电子元器件:UT02N65F 具备良好的兼容性,可以与多种电源管理 IC 和驱动器配合使用。
    - 设备兼容:适用于各种工业设备和电源管理系统。
    支持和服务:
    - 制造商支持:提供详细的安装指南和技术文档。
    - 客户服务:可通过服务热线 400-655-8788 获取技术支持和咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:长时间高功率运行导致温度过高。
    - 解决方案:增加散热措施,如外部散热片或冷却风扇。
    问题2:驱动波形不稳定。
    - 解决方案:检查门极驱动器,确保波形稳定,并正确设置驱动电阻。
    问题3:器件损坏。
    - 解决方案:检查电源输入是否超出额定范围,确保负载安全。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:UT02N65F 具有高耐压能力、低门极电荷和坚固耐用的特点,适用于高压电力转换和驱动应用。
    - 缺点:在极端高温环境下,需要注意散热问题。
    推荐:
    - 推荐使用:UT02N65F 是一款性能卓越的功率 MOSFET,适用于多种高压应用。如果需要高效的电力转换和驱动,强烈推荐使用该产品。

UT02N65F-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT02N65F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT02N65F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT02N65F-VB UT02N65F-VB数据手册

UT02N65F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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