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FDD7N60NZTM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: FDD7N60NZTM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD7N60NZTM-VB

FDD7N60NZTM-VB概述

    FDD7N60NZTM 650V N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FDD7N60NZTM 是一款650V耐压的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于电源转换、电机驱动和照明系统等领域。由于其独特的设计和高性能参数,这款MOSFET 能够提供高效的电力传输和切换能力。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 650V
    - 最大门源电压 \(V{GS}\): ±30V
    - 连续漏极电流 \(ID\) (TC = 25°C): 5A
    - 突发漏极电流 \(I{DM}\): 16A
    - 最大耗散功率 \(PD\) (TC = 25°C): 205W
    - 绝对最大重复脉冲能量 \(E{AS}\): 120mJ
    - 最大单脉冲能量 \(E{AR}\): mJ
    - 最大峰值二极管恢复 \(dV/dt\): 4.5V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 \(-55\) 到 \(+150\) °C
    - 电气特性
    - 开启电阻 \(R{DS(on)}\): \(0.95\Omega\) (在 \(V{GS} = 10V\) 下)
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 15nC (最大值)
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 3nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 6nC
    - 转导电容 \(C{iss}\): 320pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 75pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): \(500pF\) (在 \(V{DS} = 1.0V\) 下)
    - 有效输出电容 \(C{oss}\) 效应: \(83pF\) (在 \(V{DS} = 520V\) 下)

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低栅极电荷使得驱动要求简单,减少了外部电路的复杂度。
    - 增强的栅极、雪崩和动态 \(dV/dt\) 耐久性: 改进了的栅极、雪崩和动态 \(dV/dt\) 耐久性使其在高压和高频率环境下更稳定可靠。
    - 完全标定的电容和雪崩电压、电流: 这些参数的全面标定提供了更高的精确性和可靠性。
    - 符合RoHS指令: 其符合RoHS标准,适用于广泛的环保要求严格的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源转换: 用于高效DC-DC转换器,降低功耗并提高效率。
    - 电机驱动: 适合用于高压直流电机的驱动,能够提供更大的控制精度和稳定性。
    - 照明系统: 在LED照明系统中,可以减少能耗并提高系统的可靠性。
    - 使用建议:
    - 温度管理: 在高温环境下,确保散热措施到位,以防止过热导致的性能下降。
    - 驱动电路设计: 使用适当的栅极驱动电路,确保驱动信号稳定,减少开关损耗。
    - 布线布局: 采用低杂散电感和接地平面的设计,减少EMI和信号干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET与常见的TO-220AB、TO-252和TO-251封装兼容,方便用户选择合适的封装类型进行安装。
    - 支持: Taiwan VBsemi 提供了全面的技术支持,包括在线文档、技术问答和专业咨询服务。客户还可以通过服务热线400-655-8788获得技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关时出现过高的漏电流。
    - 解决方案: 确保电路设计合理,包括适当选择栅极电阻和驱动信号,减少开关损耗。
    - 问题2: 在高温环境中性能下降。
    - 解决方案: 加强散热措施,使用散热器或增加散热片,确保温度保持在可接受范围内。
    - 问题3: 开关时间不稳定。
    - 解决方案: 确认驱动电路的稳定性和负载条件,避免负载突变引起的不稳定性。

    7. 总结和推荐


    FDD7N60NZTM 作为一款高性能的N沟道MOSFET,在各种电力转换和驱动应用中表现出色。它的低栅极电荷、增强的耐久性和广泛的适用温度范围使其成为电源转换和驱动系统中的理想选择。对于需要高效、可靠和稳定电力传输的应用,强烈推荐使用这款MOSFET。

FDD7N60NZTM-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDD7N60NZTM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD7N60NZTM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD7N60NZTM-VB FDD7N60NZTM-VB数据手册

FDD7N60NZTM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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