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NDF06N60ZG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: NDF06N60ZG-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDF06N60ZG-VB

NDF06N60ZG-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET (NDF06N60ZG) 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有低通态电阻(RDS(on))和超低门极电荷(Qg)。它广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应以及各种照明和工业应用,例如高强气体放电灯(HID)照明和荧光灯镇流器。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和规格参数:
    - 额定电压 (VDS):650V
    - 最大持续漏极电流 (ID):35A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):取决于最大结温
    - 最大耗散功率 (PD):150W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):86mJ
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):63°C/W
    - 门极-源极阈值电压 (VGS(th)):2.5V 至 5V
    - 最大门极-源极漏电流 (IGSS):±100nA
    - 总栅极电荷 (Qg):13nC
    - 漏极-源极通态电阻 (RDS(on)):1Ω (VGS = 10V)

    产品特点和优势


    - 低通态电阻 (RDS(on)) 和超低栅极电荷 (Qg):显著降低功耗并提高效率。
    - 低输入电容 (Ciss):减少开关损耗,加快开关速度。
    - 重复雪崩能量额定值 (UIS):增强可靠性,适合严苛的应用环境。
    - 优化设计:专为低损耗和高效率设计,特别适用于高压应用场合。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种高压应用,例如服务器和电信电源系统。在这些应用中,高效转换和低损耗至关重要。为了最大限度地发挥其性能,可以采用低杂散电感和接地平面设计以减少寄生电感。此外,在高频开关电路中,合理的门极驱动和布局设计也能有效提升性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款 MOSFET 与大多数现代开关电源设计兼容,适用于 TO-220 封装的电路板设计。
    - 支持和服务:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速部署并解决任何潜在问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确保产品的可靠性和长期稳定性?
    解决方案:遵循制造商推荐的焊接温度和时间,保持正确的 PCB 布局以减少寄生电感。

    - 问题2:如何降低功耗和提高效率?
    解决方案:合理选择驱动电阻(Rg)和优化门极驱动电路,同时确保使用适当的冷却机制来管理散热。

    总结和推荐


    NDF06N60ZG 是一款出色的功率 MOSFET,其低损耗和高效率使其成为众多高压应用的理想选择。通过优化设计和合理的应用方法,它可以显著提升系统的整体性能。因此,强烈推荐此产品用于需要高压且高效能的应用场合。

NDF06N60ZG-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NDF06N60ZG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDF06N60ZG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDF06N60ZG-VB NDF06N60ZG-VB数据手册

NDF06N60ZG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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10N65F ¥ 1.43
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