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NVD6820NLT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,110A,RDS(ON),5.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.89Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: NVD6820NLT4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NVD6820NLT4G-VB

NVD6820NLT4G-VB概述


    产品简介


    NVD6820NLT4G是一款N沟道80V(D-S)功率MOSFET,采用TrenchFET®工艺制造。它具有高效率、低导通电阻(RDS(on))的特点,适用于多种应用场合,如初级侧开关、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光。这款MOSFET提供了优异的电气特性和可靠性,适用于需要高性能、低功耗的电路设计。

    技术参数


    以下是NVD6820NLT4G的技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):80 V
    - 最大栅源电压(VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):28.6 A(TA = 25 °C)
    - 脉冲漏极电流(t = 100 μs):150 A
    - 最大单脉冲雪崩电流(L = 0.1 mH):30 A
    - 最大单脉冲雪崩能量:45 mJ
    - 最大耗散功率(TC = 25 °C):62.5 W
    - 热阻抗(RthJA):20 °C/W(最大)
    - 最大结温范围:-55 °C 至 150 °C

    产品特点和优势


    1. 高效率:低导通电阻RDS(on)使该MOSFET能够在各种负载条件下保持高效率。
    2. 可靠测试:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保了产品的稳定性和可靠性。
    3. 温度适应性强:结温范围宽,可在极端温度下正常工作。
    4. 应用广泛:适用于多种电力转换和控制应用,如初级侧开关和同步整流。

    应用案例和使用建议


    NVD6820NLT4G适用于多种应用场景,例如LED背光驱动、开关电源、DC/AC逆变器等。在设计电路时,建议注意以下几点:
    1. 散热管理:在高温环境下使用时,需考虑有效的散热措施,以防止过热导致损坏。
    2. 栅极驱动:适当调整栅极电阻以确保开关速度和可靠性,避免因驱动不足导致的过早失效。
    3. 热阻抗:在PCB设计中,需确保良好的热连接,以降低热阻抗,提高整体性能。

    兼容性和支持


    NVD6820NLT4G具有广泛的兼容性,可与多种电子设备和组件无缝对接。制造商提供详细的技术文档和支持,确保用户能够充分利用该产品的优势。此外,制造商还提供详尽的应用指南和技术支持,帮助用户解决实际使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    以下是使用NVD6820NLT4G时可能出现的一些常见问题及其解决方案:
    1. 问题:设备过热
    - 解决方案:确保散热良好,可以增加散热片或者使用更好的散热材料。

    2. 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案:检查并调整栅极电阻,确保适当的驱动条件。
    3. 问题:漏极电流超出额定值
    - 解决方案:减少负载或改进电路设计,确保不超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    总体而言,NVD6820NLT4G是一款高效、可靠的N沟道功率MOSFET,适合各种高压、高电流应用场景。其出色的电气特性和宽广的工作温度范围使其成为许多电力转换和控制应用的理想选择。因此,强烈推荐使用NVD6820NLT4G在相关电路设计中,以实现高效、稳定的性能。

NVD6820NLT4G-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.89V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 110A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NVD6820NLT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NVD6820NLT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NVD6820NLT4G-VB NVD6820NLT4G-VB数据手册

NVD6820NLT4G-VB封装设计

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