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UT05N50F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: UT05N50F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT05N50F-VB

UT05N50F-VB概述

    UT05N50F Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT05N50F 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为高效率应用而设计。它具备低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),适用于多种电源管理和工业控制场合。具体应用包括服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统以及工业设备。

    技术参数


    - 电压范围: 最大漏源电压 (VDS) 为650V,适用于高压应用。
    - 电流能力: 在最大工作温度(150°C)下,连续漏极电流 (ID) 可达15A。
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.5V 到 5V
    - 零门源电压漏极电流 (IDSS): 1μA
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 2800pF
    - 输出电容 (Coss): 250pF
    - 门极电荷 (Qg): 16nC
    - 绝对最大额定值:
    - 最大门源电压 (VGS): ±30V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97mJ
    - 最大耗散功率 (PD): 120W
    - 热阻 (RthJA): 63°C/W

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 门极电荷低至16nC,显著减少开关损耗。
    - 低输入电容: 降低门源电容 (Ciss) 2800pF,提升响应速度。
    - 高可靠性: 支持高达97mJ的单脉冲雪崩能量,保证在高压下的稳定性。
    - 广泛的工作温度范围: 能够在极端环境下正常工作,工作温度范围为-55°C到+150°C。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源: 这种类型的电源通常需要高效率,UT05N50F 的低损耗特性非常适合此类应用。
    - 开关模式电源供应 (SMPS): 高速开关频率要求门极电荷低,UT05N50F 的设计符合这一需求。
    - 使用建议: 确保在设计电路时考虑散热问题,特别是在高温环境下的工作。适当选择散热器和热管,以确保器件稳定运行。

    兼容性和支持


    - 封装形式: UT05N50F 采用 TO-220 FULLPAK 封装,便于安装和散热。
    - 支持和维护: VBsemi 提供详尽的技术支持文档,确保客户能够快速解决使用中的问题。此外,VBsemi 还提供在线培训和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: UT05N50F 在高温下的性能如何?
    - A: UT05N50F 可在高达150°C的温度下稳定工作。但必须注意散热设计,避免过温导致损坏。

    - Q: 如何确保门极电荷低?
    - A: 通过合理的电路布局,减少寄生电感和提高门极电阻来实现。

    总结和推荐


    UT05N50F 作为一款高性能N沟道功率MOSFET,在各种应用中表现出色。其低导通电阻和低门极电荷使得它成为电源管理和工业控制的理想选择。鉴于其广泛的应用范围和出色的性能,我们强烈推荐此产品用于需要高效能和可靠性的项目中。

UT05N50F-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT05N50F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT05N50F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT05N50F-VB UT05N50F-VB数据手册

UT05N50F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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