处理中...

首页  >  产品百科  >  F654A-VB

F654A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,250V,14A,RDS(ON),190mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于电磁阀、接触器、小型电机等负载的PWM控制或软启动,尤其在工业自动化、蒸汽管网智能控制系统中使用。
供应商型号: F654A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F654A-VB

F654A-VB概述

    F654A-VB Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    F654A-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它主要用于高效率的开关电源、电机驱动和其他需要快速开关和低导通电阻的应用场合。其主要功能包括动态dV/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关、并联容易和简单的驱动要求。

    2. 技术参数


    以下是F654A-VB的主要技术规格和性能参数:
    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 250V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 14A (TC=25°C),8.5A (TC=100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 56A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 125W (TC=25°C)
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻 \( R{thJA} \): 62°C/W
    - 最大结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 1.0°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 250V (ID=250μA)
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 2.0V 至 4.0V (ID=250μA)
    - 零门电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25μA (VDS=250V, VGS=0V)
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.19Ω (VGS=10V, ID=8.4A)
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1300pF (VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 330pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 85pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 68nC (ID=7.9A, VDS=200V)

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关:F654A-VB具有出色的开关性能,能够实现快速的导通和关断,从而减少开关损耗。
    - 简单驱动:由于其简单的驱动要求,使得它易于集成到各种电路设计中。
    - 重复雪崩额定值:该产品具有重复雪崩额定值,能够在极端条件下可靠工作。
    - 并联容易:该MOSFET可以轻松并联,适用于需要更高电流处理能力的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:F654A-VB常用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等领域。例如,在一个典型的开关电源应用中,它可以作为主开关器件,以实现高效的能量转换。
    - 使用建议:为了最大限度地发挥其性能,建议在使用时注意散热管理,特别是在高电流和高温环境下。此外,合理布局电路,减少寄生电感,可以进一步提高其性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:F654A-VB与大多数标准电源电路兼容,其引脚配置符合行业标准。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或使用散热器,确保良好的热管理。

    - 问题2:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查电路布局,减少寄生电感和杂散电容的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,F654A-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有快速开关、简单驱动、重复雪崩额定值和并联容易等优点。它适用于多种电力电子应用,特别是在需要高效能和可靠性的地方。强烈推荐给需要高效率、低损耗开关应用的设计工程师。
    通过上述解析,您可以全面了解F654A-VB的特性和应用情况,为您的项目选择合适的电子元器件提供参考。

F654A-VB参数

参数 值
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

F654A-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

F654A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F654A-VB F654A-VB数据手册

F654A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336