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F654A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: F654A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F654A-VB

F654A-VB概述

    F654A-VB Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    F654A-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它主要用于高效率的开关电源、电机驱动和其他需要快速开关和低导通电阻的应用场合。其主要功能包括动态dV/dt额定值、重复雪崩额定值、快速开关、并联容易和简单的驱动要求。

    2. 技术参数


    以下是F654A-VB的主要技术规格和性能参数:
    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 250V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 14A (TC=25°C),8.5A (TC=100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 56A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 125W (TC=25°C)
    - 热阻
    - 最大结至环境热阻 \( R{thJA} \): 62°C/W
    - 最大结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 1.0°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 250V (ID=250μA)
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 2.0V 至 4.0V (ID=250μA)
    - 零门电压漏极电流 \( I{DSS} \): 25μA (VDS=250V, VGS=0V)
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.19Ω (VGS=10V, ID=8.4A)
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1300pF (VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 330pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 85pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 68nC (ID=7.9A, VDS=200V)

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关:F654A-VB具有出色的开关性能,能够实现快速的导通和关断,从而减少开关损耗。
    - 简单驱动:由于其简单的驱动要求,使得它易于集成到各种电路设计中。
    - 重复雪崩额定值:该产品具有重复雪崩额定值,能够在极端条件下可靠工作。
    - 并联容易:该MOSFET可以轻松并联,适用于需要更高电流处理能力的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:F654A-VB常用于开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等领域。例如,在一个典型的开关电源应用中,它可以作为主开关器件,以实现高效的能量转换。
    - 使用建议:为了最大限度地发挥其性能,建议在使用时注意散热管理,特别是在高电流和高温环境下。此外,合理布局电路,减少寄生电感,可以进一步提高其性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:F654A-VB与大多数标准电源电路兼容,其引脚配置符合行业标准。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或使用散热器,确保良好的热管理。

    - 问题2:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查电路布局,减少寄生电感和杂散电容的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,F654A-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有快速开关、简单驱动、重复雪崩额定值和并联容易等优点。它适用于多种电力电子应用,特别是在需要高效能和可靠性的地方。强烈推荐给需要高效率、低损耗开关应用的设计工程师。
    通过上述解析,您可以全面了解F654A-VB的特性和应用情况,为您的项目选择合适的电子元器件提供参考。

F654A-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 250V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F654A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F654A-VB数据手册

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F654A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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