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KHB2D0N60P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: KHB2D0N60P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KHB2D0N60P-VB

KHB2D0N60P-VB概述

    KHB2D0N60P N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    产品简介


    KHB2D0N60P 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,其击穿电压(VDS)高达 650V。这款 MOSFET 具备低门极电荷(Qg),易于驱动,且具有高可靠性和良好的电气特性,适用于各种电力转换和控制电路。其主要功能包括低损耗开关操作、优异的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐压能力。KHB2D0N60P 在工业控制、电源管理、电动车辆充电系统等广泛应用中表现优异。

    技术参数


    - 击穿电压(VDS):650V
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)):2.0 ~ 4.0V
    - 零门极电压漏电流(IDSS):25μA @ 650V,VGS = 0V
    - 导通电阻(RDS(on)):4.0Ω @ VGS = 10V, ID = 1A
    - 门极电荷(Qg):11nC @ VGS = 10V
    - 开启延迟时间(td(on)):14ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):34ns
    - 输出电容(Coss):45pF
    - 最大重复雪崩能量(EAR):6mJ
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:简化驱动要求,降低驱动功率需求,提高效率。
    2. 高可靠性:具备出色的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐压能力,适用于苛刻的工作环境。
    3. 全面的电气特性:通过详细的特性曲线和测试条件展示其电气特性的全面性。
    4. 环保合规:符合 RoHS 指令 2002/95/EC 和无卤素标准,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    应用案例:KHB2D0N60P 常用于工业电机驱动器、电动汽车充电桩、逆变器和开关电源等场合。例如,在电动汽车充电桩中,它被用来实现高效稳定的直流输出。
    使用建议:
    1. 在设计开关电源时,选择合适的门极电阻(RG)以确保最佳的开关性能。
    2. 注意散热设计,确保器件在高温环境下也能稳定工作。
    3. 针对高频应用,考虑其寄生电容的影响,选择适当的布局和封装方式以减少杂散电感。

    兼容性和支持


    KHB2D0N60P 与同类产品兼容良好,可直接替换。厂商提供详细的技术文档和支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。此外,针对售后技术支持,客户提供 24 小时的服务热线(400-655-8788)。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 确保使用正确的驱动电阻和门极电压波形 |
    | 温度过高 | 优化散热设计,增加散热片面积 |
    | 开关速度不理想 | 检查 PCB 设计,减少杂散电感 |

    总结和推荐


    KHB2D0N60P MOSFET 在多个方面表现出色,特别是在高温和高电压环境下。其低导通电阻、低门极电荷和高可靠性的特点使其成为电力转换和控制应用的理想选择。建议在需要高性能和高可靠性的电力系统中使用此产品。
    综上所述,KHB2D0N60P MOSFET 是一款值得推荐的产品,适用于多种高压电力应用。无论是工业控制还是新能源汽车领域,其出色的性能和可靠性都将为您的设计带来显著的优势。

KHB2D0N60P-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KHB2D0N60P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KHB2D0N60P-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KHB2D0N60P-VB KHB2D0N60P-VB数据手册

KHB2D0N60P-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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