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K34E10N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: K34E10N1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K34E10N1-VB

K34E10N1-VB概述

    K34E10N1-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K34E10N1-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 属于 TrenchFET® Power MOSFET 类型,具有高达 175°C 的最大结温,适用于高温环境下的工作。它的主要功能是在电力电子系统中作为开关或放大元件使用。广泛应用于工业控制、电源管理、电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    K34E10N1-VB 的关键技术参数如下:
    - 栅极至源极电压:± 20 V
    - 漏极至源极电压:100 V
    - 连续漏极电流:在 25°C 下为 100 A,在 125°C 下为 75 A
    - 脉冲漏极电流:300 A
    - 单脉冲雪崩能量:280 mJ
    - 最大功耗:250 W(自由空气)
    - 热阻:Junction-to-Ambient 热阻率为 62.5°C/W(TO-220AB),Junction-to-Case 热阻率为 0.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    K34E10N1-VB 的主要特点和优势如下:
    - 耐高温能力:能够在高达 175°C 的温度下工作,适合高温环境下使用。
    - 高可靠性:符合 RoHS 指令,减少了有害物质的使用,提高了产品的环保性和安全性。
    - 快速开关性能:具有低导通电阻(RDS(on)),能够实现快速开关,减少功耗和热量生成。
    - 高功率密度:紧凑的设计允许在较小的空间内集成更多的组件,提高系统效率。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:K34E10N1-VB 广泛应用于工业控制、电源管理和电机驱动系统中。例如,在变频器、开关电源和电动机控制器中,它可以用作开关元件来实现高效的电力转换和控制。
    使用建议:
    - 在设计时,应考虑散热措施以确保器件在高温下正常工作。
    - 使用过程中应避免超过绝对最大额定值,以防止损坏器件。
    - 结合使用合适尺寸的散热器可以显著提升系统的可靠性和寿命。

    5. 兼容性和支持


    K34E10N1-VB 采用标准 TO-220AB 封装,易于安装在印刷电路板上,并且与大多数常用 PCB 安装标准兼容。VBsemi 提供详细的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的散热器?
    - 解决方案:根据器件的热阻和预期的工作环境,选择合适的散热器。可参考厂商提供的热阻数据进行计算。
    问题2:器件在高温环境下工作时如何避免过热?
    - 解决方案:在高温环境下使用时,应考虑外部散热措施,如增加散热片或使用强制风冷,确保器件的温度不超过安全范围。
    问题3:如何验证器件是否符合设计要求?
    - 解决方案:使用万用表或其他测试设备测量器件的关键参数,如漏极电流、源极电压和门极电压,以确保其符合设计要求。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K34E10N1-VB 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适用于高温环境下的电力电子应用。其高耐温能力和快速开关性能使其在工业控制、电源管理和电机驱动领域具有显著的优势。对于需要高效电力转换和控制的应用场合,K34E10N1-VB 是一个理想的选择。强烈推荐给需要此类器件的工程师和技术人员。

K34E10N1-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K34E10N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K34E10N1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K34E10N1-VB K34E10N1-VB数据手册

K34E10N1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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