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IRF7491TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,10A,RDS(ON),20mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF7491TRPBF-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF7491TRPBF-VB

IRF7491TRPBF-VB概述

    IRF7491TRPBF N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel MOSFET
    主要功能:作为初级侧开关,适用于电源管理、马达控制、LED驱动等应用。
    应用领域:电源转换器、逆变器、马达驱动器、LED灯驱动电路等。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):100 V
    - 最大连续漏电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时:10.4 A
    - TC = 70 °C 时:9.1 A
    - TA = 25 °C 时:8.5 A(表面安装在 1” x 1” FR4 板上)
    - 总栅极电荷 (Qg):28.5 nC
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS):1 µA
    - 漏源击穿电压 (VDS):100 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V 时:0.020 Ω
    - VGS = 8 V 时:0.027 Ω
    - 绝对最大额定值 (TA = 25 °C):
    - 漏源电压 (VDS):100 V
    - 漏电流 (ID):10.4 A
    - 最大功率耗散 (PD):5.9 W
    - 工作温度范围:-55 °C 至 150 °C
    - 热阻 (TA = 25 °C):
    - 最大结到外壳 (RthJA):33 °C/W
    - 最大结到脚 (RthJF):17 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷 (Qg):IRF7491TRPBF 具有极低的 Qgd,适用于需要低损耗开关的应用。
    - 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 规范。
    - 100% Rg 测试:确保产品质量的一致性。
    - 全寿命测试:100% 雪崩测试,提供更高的可靠性。
    - 高性能:优秀的导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性,适用于高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:作为初级侧开关,用于提升电源效率。
    - LED驱动器:通过降低栅极电荷,减少能量损耗。
    - 马达驱动器:具备高可靠性,适用于工业自动化应用。
    使用建议:
    - 确保正确的电路布局,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 使用散热片和良好的通风条件,以降低结温。
    - 遵循数据表中的电气参数限制,避免超过绝对最大额定值。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持标准 SO-8 封装,易于集成于现有电路设计中。
    - 厂商支持:可联系台湾VBsemi公司的技术支持团队获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何选择合适的栅极电阻 (Rg)?
    - A:根据数据表中的栅极电阻参数选择合适的 Rg 值,一般为 1 Ω 到 1.3 Ω。
    - Q:如何确保长时间工作的可靠性?
    - A:注意不要超过数据表中的绝对最大额定值,同时使用散热片进行热管理。
    - Q:在高温环境下使用时需要注意什么?
    - A:确保散热良好,避免工作温度超过 150 °C 的上限。

    7. 总结和推荐


    IRF7491TRPBF 是一款高性能、低损耗的 N-Channel MOSFET,特别适合用于高频、高效率的应用场合。其低栅极电荷、无卤素材料、高可靠性等特点使其成为电源转换器、马达驱动器和 LED 驱动电路的理想选择。对于需要高可靠性的工业应用来说,这款 MOSFET 非常值得推荐。

IRF7491TRPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,27mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF7491TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF7491TRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF7491TRPBF-VB IRF7491TRPBF-VB数据手册

IRF7491TRPBF-VB封装设计

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