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UTD405L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: UTD405L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTD405L-TN3-R-VB

UTD405L-TN3-R-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V MOSFET(型号:UTD405L-TN3-R) 是一款高性能的沟槽型场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET),适用于多种电子应用。其主要功能包括在开关电源、负载开关及笔记本适配器开关中的应用。该器件通过先进的制造工艺实现了高可靠性和低功耗,同时满足无卤素环保标准。

    技术参数


    - 最大栅源电压(VGS): ± 20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 150 °C):
    - 在TC = 25 °C时:ID = 4.1 A
    - 在TC = 70 °C时:ID = 2.2 A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 20 A
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C): PD = 25 W
    - 最大栅漏电(IGSS): ± 100 nA
    - 导通状态电阻(RDS(on)):
    - 在VGS = -10 V时:0.033 Ω
    - 在VGS = -4.5 V时:0.046 Ω
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55 °C 到 150 °C

    产品特点和优势


    UTD405L-TN3-R具有以下独特功能和优势:
    - 无卤素设计:符合环保要求,广泛应用于对环境有严格要求的应用领域。
    - 高可靠性测试:100% Rg和UIS测试确保产品的长期稳定性和可靠性。
    - 出色的热阻特性:最大结到外壳热阻为25°C/W,结到环境的最大热阻为38°C/W,保证了良好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于负载开关、笔记本适配器开关等应用。例如,在笔记本适配器中,它可以作为开关电源的关键组件,实现高效且可靠的电源管理。对于用户来说,建议使用适当的散热措施以提高器件的可靠性和使用寿命。此外,根据应用场景的不同,选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UTD405L-TN3-R采用TO-252封装,易于与其他电子元器件集成,如与电源管理IC一起使用。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过官方服务热线400-655-8788获取更多技术支持和帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极驱动电阻?
    - 解决方案:根据应用的具体需求选择合适的栅极驱动电阻,通常需要平衡开关速度和能效。参考技术手册中的典型值并进行实验验证,找到最优参数。

    - 问题2:如何确定最大工作电流?
    - 解决方案:根据应用条件下的温度和最大允许温升计算出最大工作电流。参阅技术手册中的绝对最大额定值,确保不超出器件的极限。

    - 问题3:如何防止过热损坏?
    - 解决方案:在电路设计中加入散热片或散热器,并通过良好的电路布局和风扇等外部冷却装置来控制温度。确保工作温度不超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    UTD405L-TN3-R凭借其出色的电气特性和稳定性,在多种电子应用中表现出色。它具备出色的无卤素环保设计、高可靠性测试和优秀的热阻特性,适用于广泛的负载开关和电源管理应用。建议在需要高可靠性和良好散热性能的应用中选用此器件。总体而言,UTD405L-TN3-R是一款值得信赖的高性能P通道MOSFET。

UTD405L-TN3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 26A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTD405L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTD405L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTD405L-TN3-R-VB UTD405L-TN3-R-VB数据手册

UTD405L-TN3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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