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K3430-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
供应商型号: K3430-Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3430-Z-VB

K3430-Z-VB概述

    K3430-Z-VB N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3430-Z-VB 是一款高性能的 N-Channel 40-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了先进的 TrenchFET® 技术。这款 MOSFET 主要应用于同步整流和电源管理等领域。凭借其卓越的电气特性和热稳定性,K3430-Z-VB 在各种电力电子应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 主要参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 40V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 110A(\( TJ \) = 175°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 270A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 320mJ
    - 最大功耗 \( PD \): 312W(\( TC \) = 25°C),200W(\( TA \) = 70°C)
    - 热阻参数
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): 32-40°C/W
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.33-0.4°C/W
    - 封装尺寸
    - TO-220AB 封装
    - 引脚布局: GDS

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:采用 TrenchFET® 技术,具有低导通电阻 \( R{DS(on)} \),当 \( V{GS} = 10V \) 时为 6mΩ,在 \( V{GS} = 4.5V \) 时为 7mΩ。
    - 高可靠性:所有批次均经过严格的 \( Rg \) 和 UIS 测试。
    - 优良的温度特性:工作温度范围广,从 -55°C 到 150°C,适用于各种极端环境。
    - 快速开关特性:快速的开关时间 \( td(on) \) 和 \( td(off) \),分别在不同条件下为 20-30ns 和 77-115ns。

    4. 应用案例和使用建议


    - 同步整流:适用于高效率的开关电源设计,减少功率损耗。
    - 电源管理:广泛应用于计算机电源、通信设备和其他需要高效电能转换的场合。
    - 使用建议:确保电路设计中充分考虑散热设计,以保证 MOSFET 的长期稳定运行。合理选择栅极驱动电阻 \( Rg \),以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 TO-220AB 封装的引脚排列兼容,便于集成到现有设计中。
    - 支持:提供详尽的技术文档和客户支持,包括详尽的数据表和典型应用场景指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:MOSFET 发热严重。
    - 解决方案:检查电路设计中的散热措施是否足够,必要时增加外部散热片或改善散热设计。
    - 问题:开关过程中出现振荡。
    - 解决方案:优化栅极驱动信号,减小栅极电阻 \( Rg \) 或增加外部栅极电阻,以抑制振荡现象。

    7. 总结和推荐


    K3430-Z-VB N-Channel 40-V MOSFET 以其高效的电气特性、宽泛的工作温度范围以及优秀的热稳定性,成为电力电子应用中的理想选择。尤其适用于高效率的同步整流和电源管理领域。强烈推荐用于需要高可靠性和高性能的场合。

K3430-Z-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 110A
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,7mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3430-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3430-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3430-Z-VB K3430-Z-VB数据手册

K3430-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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