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IRF644STRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,16A,RDS(ON),230mΩ@10V,276mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRF644STRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF644STRR-VB

IRF644STRR-VB概述

    IRF644STRR Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF644STRR 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种工业应用。其主要特点是快速开关、动态dv/dt额定值以及重复雪崩额定值,使得它非常适合于高功率转换和驱动应用。IRF644STRR 采用D2PAK(TO-263)封装形式,提供简易的并联能力,并具有简单驱动要求。

    技术参数


    以下是IRF644STRR 的关键技术参数列表:
    - 电压等级:
    - 漏源击穿电压 (VDS):250V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)):2.0 - 4.0V
    - 门源漏电流 (IDSS):25 μA @ VDS = 250V
    - 电流等级:
    - 持续漏极电流 (ID):16A (TC = 25°C), 9.5A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):56A
    - 电阻与电容:
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.23Ω (VGS = 10V, ID = 8.4A)
    - 输入电容 (Ciss):1300pF
    - 输出电容 (Coss):330pF
    - 反向转移电容 (Crss):85pF
    - 热特性:
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):1.0°C/W
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):62°C/W
    - 保护参数:
    - 最大峰值二极管恢复dv/dt:4.8V/ns

    产品特点和优势


    IRF644STRR 的独特优势在于其快速开关特性、高重复雪崩额定值和易于并联的能力。这些特性使其在各种高功率转换应用中表现出色,如电机控制、电源管理和逆变器系统。其低导通电阻 (RDS(on)) 使得在高频开关应用中能够实现高效的能量转换。此外,其简单驱动要求降低了电路设计的复杂性,提高了可靠性。

    应用案例和使用建议


    IRF644STRR 广泛应用于工业控制、电源管理等领域。例如,在逆变器系统中,其高开关速度和低导通电阻可以显著提升系统的效率。建议在使用时考虑散热措施,以确保其在高温环境下的稳定运行。根据图12提供的数据,可以通过调节脉冲宽度和占空比来限制最大温度上升,从而避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    IRF644STRR 与其他标准电路组件兼容,特别是在其工作环境下的温度范围 (-55°C 至 +150°C) 内。制造商提供了详细的技术支持和维护服务,包括焊接指南和安装扭矩建议,以确保安装过程中的可靠性和稳定性。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    - 问题:最大温度上升过高
    - 解决办法:通过调整脉冲宽度和占空比来降低功率耗散,同时增加散热措施,如添加散热片或风扇。
    - 问题:导通电阻不稳定
    - 解决办法:确保输入电压稳定,并检查是否有外部干扰影响栅极驱动信号。

    总结和推荐


    总体来说,IRF644STRR 是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,特别适合于高功率转换应用。其快速开关特性、低导通电阻和简单驱动要求使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐在需要高效能、高稳定性的应用中使用该产品。
    以上是基于您提供的技术手册内容编写的IRF644STRR Power MOSFET 的详细介绍。希望这份文档对您有所帮助。

IRF644STRR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@10V,276mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 16A
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF644STRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF644STRR-VB数据手册

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IRF644STRR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 4.4995
500+ ¥ 4.3194
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