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IPB100N10S3-05-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,110A,RDS(ON),5mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IPB100N10S3-05-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPB100N10S3-05-VB

IPB100N10S3-05-VB概述

    IPB100N10S3-05 N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPB100N10S3-05 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于电源转换、马达驱动和各种控制电路中。这种类型的MOSFET以其高效率和低损耗而著称,适用于需要高电流承载能力和可靠性的应用场景。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):100V
    - 栅源电压 (VGS):± 20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C:140A
    - TC = 125 °C:87A(封装限制)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):440A
    - 雪崩击穿电流 (IAR):75A
    - 重复雪崩能量 (EAR):280mJ
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):375W(独立于工作温度)
    - 热阻率 (RthJA):40°C/W(PCB安装,TO-263封装)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55到175 °C

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET 技术:采用先进的沟槽技术,提供更低的导通电阻和更高的效率。
    2. 新封装设计:具有低热阻,增强散热性能,延长产品寿命。
    3. 100% Rg 测试:确保每个产品都经过栅极电阻测试,提升产品质量可靠性。
    4. 高功率密度:能够在较小的空间内实现更高的功率处理能力。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - 开关电源:用于DC-DC转换器中,提高转换效率。
    - 马达驱动:控制马达的速度和方向,提高系统的稳定性和响应速度。
    - 工业自动化:广泛应用于各种工业自动化设备中,如机器人手臂、伺服电机等。
    2. 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议使用散热片以增强散热效果。
    - 避免长时间超过额定电流运行,以免损坏MOSFET。
    - 考虑外部栅极电阻,以优化开关时间和降低开关损耗。

    兼容性和支持


    IPB100N10S3-05 MOSFET与大多数标准电源转换器和控制电路兼容。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括但不限于产品规格书、应用指南和技术文档。此外,还提供在线技术支持和快速响应的客户服务热线400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或改进散热设计。

    2. 问题:MOSFET在工作时产生异常噪音。
    - 解决方案:检查连接线路,确保接地良好,避免高频噪声干扰。

    3. 问题:MOSFET在高温环境下失效。
    - 解决方案:在高温环境中使用散热装置,并选择适合的工作环境温度范围。

    总结和推荐


    IPB100N10S3-05 N-Channel 100V MOSFET 是一款高性能的电子元件,适用于各种高要求的应用场景。其出色的电气特性和高效的热管理使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐该产品用于需要高电流承载能力和稳定性能的场合。如果你需要高性能且可靠的MOSFET,IPB100N10S3-05将是一个理想的选择。

IPB100N10S3-05-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 110A
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPB100N10S3-05-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPB100N10S3-05-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPB100N10S3-05-VB IPB100N10S3-05-VB数据手册

IPB100N10S3-05-VB封装设计

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