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JCS1N60V-O-V-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: JCS1N60V-O-V-N-B-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS1N60V-O-V-N-B-VB

JCS1N60V-O-V-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS1N60V-O-V-N-B 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种电源管理和驱动电路。该产品具有低栅极电荷(Qg)和高可靠性,特别适合于高频开关应用。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、高击穿电压(VDS)和快速开关速度。这些特性使其广泛应用于工业自动化、电动汽车、太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 击穿电压(VDS):650V
    - 导通电阻(RDS(on)):10V时,最大值为5Ω
    - 总栅极电荷(Qg):最大值为11nC
    - 输入电容(Ciss):最大值为417pF
    - 输出电容(Coss):最大值为45pF
    - 反向传输电容(Crss):最大值为5pF
    - 零栅压漏电流(IDSS):最大值为25μA
    - 电气特性
    - 持续漏极电流(ID):25°C时,最大值为1.28A
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为8A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大值为165mJ
    - 最大功耗(PD):25°C时,最大值为45W
    - 工作环境
    - 工作结温范围:-55°C至+150°C
    - 储存温度范围:-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)减少了驱动需求,降低了驱动电路的设计复杂度。
    2. 增强的耐压能力:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性提高了器件的可靠性和耐用性。
    3. 全面表征:完全表征的电容和雪崩电压及电流特性,保证了产品的稳定性和一致性。
    4. 环保合规:符合RoHS指令2002/95/EC,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JCS1N60V-O-V-N-B 广泛应用于各种高频开关电源中,如工业自动化控制系统、电动汽车充电站、光伏逆变器等。例如,在一个典型的工业自动化系统中,该MOSFET用于驱动电机和执行器,以实现高效能和高精度的控制。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,应考虑栅极电荷(Qg)的影响,以减少驱动损耗。
    - 确保散热设计合理,特别是在高功率应用中,以避免过热损坏。
    - 在实际应用中,可以通过优化电路布局来减少寄生电感,提高整体性能。

    兼容性和支持


    JCS1N60V-O-V-N-B 与多种标准封装兼容,适用于各种不同的电路板设计。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和故障排除手册。客户可以通过官方技术支持渠道获得进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定正确的驱动电压?
    - 解决方案:根据数据手册中的推荐值,通常为10V,以确保MOSFET正常工作。

    2. 问题:如何避免过热损坏?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用合适的散热片和风扇,或者采用强制风冷等方式。

    3. 问题:如何处理栅极电压不稳定的问题?
    - 解决方案:检查驱动电路的稳定性,确保电源电压和电流的稳定性,避免电压波动导致的栅极电压不稳定。

    总结和推荐


    JCS1N60V-O-V-N-B 是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,具备低栅极电荷、高击穿电压和快速开关速度等优点。其广泛的应用范围和优秀的性能使其成为工业自动化、电动汽车和光伏逆变器等领域的理想选择。总体而言,我们强烈推荐此产品用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

JCS1N60V-O-V-N-B-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS1N60V-O-V-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS1N60V-O-V-N-B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS1N60V-O-V-N-B-VB JCS1N60V-O-V-N-B-VB数据手册

JCS1N60V-O-V-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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