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JCS15N60CH-R-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: JCS15N60CH-R-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS15N60CH-R-C-N-B-VB

JCS15N60CH-R-C-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS15N60CH-R-C-N-B-VB是一款由VBsemi公司生产的650V N-Channel超级结MOSFET。这款MOSFET采用TO-220AB封装形式,适用于多种高功率应用。它主要用于电信、照明、消费电子、工业和可再生能源等领域。

    技术参数


    以下是JCS15N60CH-R-C-N-B-VB的主要技术规格:
    - VDS(最大漏源电压): 650V
    - RDS(on)(导通电阻): 0.19Ω (在25°C时,VGS = 10V)
    - Qg(总栅极电荷): 最大值为106nC
    - Qgs(栅源电荷): 14nC
    - Qgd(栅漏电荷): 33nC
    - ID(连续漏极电流):
    - 在TJ = 25°C时为13A
    - 在TJ = 150°C时为2A
    - IDM(脉冲漏极电流): 60A
    - EAS(单脉冲雪崩能量): 367mJ
    - PD(最大功耗): 208W
    - TJ, Tstg(工作和存储温度范围): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    JCS15N60CH-R-C-N-B-VB具备多项独特的功能和优势:
    - 低开关损耗:由于trr(反向恢复时间)、Qrr(反向恢复电荷)和IRRM(反向恢复峰值电流)的减少,实现了低开关损耗。
    - 超低栅极电荷:Qg(总栅极电荷)仅为71nC。
    - 低输入电容:Ciss(输入电容)为2322pF。
    - 高可靠性和稳定性:雪崩能量(UIS)经过测试验证,适用于高可靠性需求的应用场景。
    这些特性使得JCS15N60CH-R-C-N-B-VB在高功率转换应用中表现出色,能够有效降低系统的能耗和发热,提高整体效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信领域:用于服务器和电信电源供应系统。
    - 照明:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯管的驱动器。
    - 消费电子:应用于ATX电源供应系统。
    - 工业:广泛用于焊接设备和电池充电器。
    - 可再生能源:特别适用于太阳能光伏逆变器。
    - 开关电源(SMPS):用于各种开关模式电源。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其高功耗,需确保良好的散热措施,避免过热导致损坏。
    - 负载测试:在实际应用前进行严格的负载测试,以确保设备在预期的工作条件下稳定运行。
    - 布局设计:注意电路板布局,尽量减少杂散电感,保持接地平面的完整,以降低噪声干扰。

    兼容性和支持


    JCS15N60CH-R-C-N-B-VB与大多数标准电源转换电路兼容,具有良好的通用性。VBsemi公司提供全方位的技术支持,包括产品手册、应用指南和技术文档。如果用户在使用过程中遇到任何问题,可以通过官方服务热线400-655-8788或访问官方网站www.VBsemi.com获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查电路布局是否合理,确保电感和其他元件的选择符合要求;优化PWM信号以减少开关频率 |
    | 散热不良 | 使用合适的散热器或散热片,确保良好的空气流通;检查电路板是否安装正确,避免热量积聚 |
    | 寿命短 | 定期进行健康检查,如发现异常立即更换;严格遵守工作温度范围,避免长时间超过极限工作 |

    总结和推荐


    JCS15N60CH-R-C-N-B-VB凭借其优异的性能参数和广泛的适用范围,是高功率转换应用的理想选择。它具有出色的开关性能和可靠性,能够在不同环境下稳定工作。强烈推荐给需要高性能MOSFET的应用场合,无论是电信、工业还是可再生能源领域。

JCS15N60CH-R-C-N-B-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS15N60CH-R-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS15N60CH-R-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS15N60CH-R-C-N-B-VB JCS15N60CH-R-C-N-B-VB数据手册

JCS15N60CH-R-C-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 10.7972
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