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IPP47N10S-33-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: IPP47N10S-33-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP47N10S-33-VB

IPP47N10S-33-VB概述

    IPP47N10S-33-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPP47N10S-33-VB 是一种采用TrenchFET®技术的N沟道功率MOSFET,具有高达100V的耐压能力(D-S)。这款MOSFET主要应用于需要高电流控制的场合,如开关电源、电机驱动和照明系统等。其低导通电阻和高击穿电压使其在多种电力转换和驱动应用中表现出色。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 耐压(D-S):100V
    - 最大连续漏极电流:55A
    - 最大脉冲漏极电流:40A
    - 反向恢复时间:10ns
    - 源极到漏极击穿电压:100V
    - 门限电压:1V 至 3V
    - 零栅源电压漏极电流:1μA
    - 电气特性:
    - 最大功率耗散:127W
    - 静态导通电阻:在VGS=10V,ID=5A时为0.036Ω
    - 输入电容:45pF
    - 输出电容:270pF
    - 转移电容:90pF
    - 总栅极电荷:35nC 至 60nC
    - 栅源电荷:11nC
    - 栅极延迟时间:11ns 至 20ns
    - 关断延迟时间:30ns 至 45ns
    - 热特性:
    - 结壳热阻:1.4°C/W
    - 结温范围:-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    IPP47N10S-33-VB的主要优势在于其高可靠性、高温度适应性和低功耗。它能够在极端温度环境下正常工作,而且其低热阻设计有助于更好地散热,提高系统的稳定性和使用寿命。此外,它的低导通电阻使得在大电流应用中更加高效。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:由于其高耐压和低导通电阻,IPP47N10S-33-VB非常适合用于开关电源的设计,特别是在需要高效率的应用场景中。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,该MOSFET可以提供强大的电流控制能力和低功耗,从而提高整体效率和减少发热。
    - 照明系统:对于LED照明系统,IPP47N10S-33-VB能够有效控制电流,确保灯具的稳定运行。
    使用建议:
    1. 确保在电路设计中留有足够的散热空间,特别是在高负载运行时。
    2. 考虑外部散热器或冷却风扇以帮助散热。
    3. 选择合适的栅极电阻以优化开关速度和降低功耗。

    兼容性和支持


    IPP47N10S-33-VB采用了标准的TO-220AB封装,易于集成到现有的设计中。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和客户咨询服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,该产品符合RoHS标准,适合在环保要求严格的市场中使用。

    常见问题与解决方案


    - 问题:长时间使用后,MOSFET温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如安装散热片或风扇,确保良好的空气流通。
    - 问题:在高电流环境下,发现栅极泄漏电流较大。
    - 解决方案:检查栅极电阻是否合适,适当增加栅极电阻以降低泄漏电流。
    - 问题:MOSFET无法正常开启。
    - 解决方案:检查VGS是否达到阈值电压,调整栅极驱动电压。

    总结和推荐


    IPP47N10S-33-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于各种高电流控制需求的应用。其优异的耐高温性能、低导通电阻和良好的散热特性使其在市场上具备很强的竞争力。如果您的项目需要高可靠性和高效率的电力控制解决方案,强烈推荐使用IPP47N10S-33-VB。

IPP47N10S-33-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 55A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP47N10S-33-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP47N10S-33-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP47N10S-33-VB IPP47N10S-33-VB数据手册

IPP47N10S-33-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
1000+ ¥ 2.3183
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