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NP80N04MHE-S18-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,110A,RDS(ON),6mΩ@10V,7mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 可用作开关电源的主动开关器件,适用于DC-DC变换器、电源逆变器等模块,提供高效、稳定的能量转换和电源输出。
供应商型号: NP80N04MHE-S18-AY-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP80N04MHE-S18-AY-VB

NP80N04MHE-S18-AY-VB概述

    # NP80N04MHE-S18-AY-VB 技术手册解析

    产品简介


    NP80N04MHE-S18-AY-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,专为同步整流和电源供应设计。这款器件采用了TrenchFET®技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,适用于多种电力转换应用。

    技术参数


    以下是NP80N04MHE-S18-AY-VB的主要技术参数:
    - 额定电压(VDS):40V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C:110A
    - TJ = 175°C:90A
    - 脉冲漏极电流(IDM):270A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):320mJ
    - 静态阈值电压(VGS(th)):1.2V 至 2.5V
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V:6mΩ
    - VGS = 4.5V:7mΩ
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25°C:312W
    - TC = 70°C:200W
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on)仅为6mΩ(VGS = 10V),保证高效的电力转换效率。
    2. 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试,确保长时间稳定运行。
    3. 快速开关特性:快速的开关时间(td(on)、tr、td(off)、tf),减少开关损耗。
    4. 出色的热性能:低至0.33°C/W的最大结到外壳热阻,有助于更好地散热。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NP80N04MHE-S18-AY-VB 主要应用于同步整流和电源供应系统。例如,在数据中心的服务器电源中,这款器件可以显著提高电源效率并降低发热量。
    使用建议
    1. 选择合适的散热方式:对于高电流的应用,推荐使用有效的散热装置以确保可靠运行。
    2. 布局优化:确保良好的PCB布局,减小寄生电感,以提高整体性能。
    3. 合理设定驱动信号:建议使用合适的驱动电路,优化栅极驱动信号,以实现最佳的开关速度和效率。

    兼容性和支持


    NP80N04MHE-S18-AY-VB 采用标准的TO-220AB封装,与市面上大多数标准散热装置兼容。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:发热严重
    - 解决方案:检查散热系统是否有效,增加散热片或者风扇的使用。
    2. 问题:驱动信号不稳定
    - 解决方案:确保驱动信号稳定,适当调整驱动电阻(Rg)。
    3. 问题:效率低
    - 解决方案:优化电路布局,尽量减小寄生电感和电阻。

    总结和推荐


    NP80N04MHE-S18-AY-VB 在低导通电阻和高可靠性方面表现出色,特别适合于同步整流和电源供应系统的应用。凭借其出色的热管理和快速的开关性能,该器件在电力转换应用中展现出强大的市场竞争力。综合考虑其性能和可靠性,强烈推荐使用NP80N04MHE-S18-AY-VB。如需更多技术支持,欢迎联系厂商的客户服务热线:400-655-8788。

NP80N04MHE-S18-AY-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,7mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 110A
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NP80N04MHE-S18-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP80N04MHE-S18-AY-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP80N04MHE-S18-AY-VB NP80N04MHE-S18-AY-VB数据手册

NP80N04MHE-S18-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
1000+ ¥ 2.6485
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