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K2023-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K2023-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2023-01-VB

K2023-01-VB概述

    N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    本文档详细介绍了一款N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的基本信息。这款MOSFET的主要功能是作为开关,在各种电力转换和控制电路中发挥重要作用。它广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他需要高效能开关的应用场景中。

    技术参数


    - 最大栅源电压(VGS): ±30V
    - 连续漏极电流(TC VGS at 10V): 1.28A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 8A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C): 45W
    - 最大峰值二极管恢复电压(dV/dt): 2.8V/ns
    - 结温及存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS): 650V
    - 门限电压(VGS(th)): 2.0V至4.0V
    - 零栅压漏极电流(IDSS): 25μA(VDS = 650V, VGS = 0V)
    - 导通电阻(RDS(on)): 4.0Ω(VGS = 10V, ID = 1A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss): 417pF(VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容(Coss): 45pF
    - 反向转移电容(Crss): 5pF

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg): 这款MOSFET具有低栅极电荷,能够降低驱动要求,从而简化电路设计。
    2. 增强的耐用性: 改进了门极、雪崩和动态dV/dt耐受性,提高了整体可靠性。
    3. 全面特性描述: 完全标定的电容和雪崩电压电流特性,确保了稳定可靠的操作。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于各种电力转换系统中,如逆变器、电机驱动和电源管理等。在具体应用中,可以考虑以下几点:
    - 散热设计: 由于其高功率损耗,需要良好的散热设计以确保长期稳定性。
    - 驱动电路设计: 为了降低驱动复杂度,可以采用低电荷MOSFET以简化电路设计。
    - 过流保护: 在过流情况下,应注意保护电路的设计,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    该产品符合RoHS标准,环保且兼容现代电子制造标准。供应商提供了详细的安装和维护指南,确保客户能够在应用中得到持续的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q: 漏极电流过高导致温度上升怎么办?
    - A: 增加散热片面积或优化电路设计,以提高散热效率。
    - Q: MOSFET在高电流脉冲下表现出不稳定怎么办?
    - A: 检查并调整电路设计,确保在高电流脉冲下的可靠性。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel MOSFET凭借其优良的电气特性和可靠性,在众多应用场景中表现出色。推荐在需要高性能开关的应用中使用此产品,特别是在电力转换和控制领域。

K2023-01-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2023-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2023-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2023-01-VB K2023-01-VB数据手册

K2023-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
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