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N10L26-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: N10L26-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) N10L26-VB

N10L26-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET 是一款高性能的电子元器件,主要用于电力转换和控制应用。它属于单片N沟道MOSFET,具有表面贴装(Surface Mount)和低轮廓通孔(Low-Profile Through-Hole)两种安装方式。Power MOSFET 适用于广泛的电子设备,包括但不限于电源管理、电机驱动、通信设备和汽车电子系统。其主要功能是作为开关元件,在电路中实现电流的控制与切换。

    技术参数


    - 主要规格:
    - VDS (Drain-Source Voltage): 100 V
    - RDS(on) (Drain-Source On-State Resistance): 0.020 Ω (VGS = 10 V)
    - Qg (Total Gate Charge): 70 nC (VGS = 10 V)

    - 绝对最大额定值:
    - VDS: 100 V
    - VGS: ±20 V
    - 连续漏极电流: TC = 25 °C 时 70 A,TC = 100 °C 时 56 A
    - 脉冲漏极电流: IDM 250 A (脉宽 ≤ 300 μs; 占空比 ≤ 2%)
    - 最大功率耗散: TC = 25 °C 时 3.1 W (TA = 25 °C 时 130 W)
    - 热阻抗额定值:
    - 最大结至环境热阻 (PCB安装,稳态): RthJA ≤ 40 °C/W
    - 最大结至外壳 (漏极): RthJC ≤ 1.0 °C/W
    - 动态特性:
    - 转换电容 (Ciss): 1300 pF (VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 430 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 130 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 14 ns (VDD = 50 V, ID = 20 A, Rg = 9.1 Ω)

    产品特点和优势


    Power MOSFET 在多种应用中表现出色,具备以下显著特点和优势:
    - 无卤素: 符合IEC 61249-2-21标准定义。
    - 低栅源阈压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V,易于驱动。
    - 快速开关: 可快速切换电流,响应时间短。
    - 高可靠性: 能够承受重复雪崩击穿,具有稳定的电气特性。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 0.020 Ω,降低功耗和热量产生。
    - 兼容RoHS指令: 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源管理: 如开关电源中的高压转换器。
    - 电机驱动: 在工业自动化和电动汽车中提供高效的驱动控制。
    - 通信设备: 用于射频信号放大和控制。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,以避免过热损坏。
    - 配合低漏感电感和接地平面设计,减少寄生效应。
    - 考虑到快速开关性能,合理选择门极驱动电阻 (Rg),以保证快速可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于广泛的电路板和连接器,能够与现有设计无缝集成。
    - 厂商支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户进行产品选型和设计。
    - 培训和资源: 客户可以访问在线技术论坛和教程,获得使用指导和技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1: 开关损耗高。
    - 解决方案: 检查并优化门极驱动电路,适当减小门极电阻 (Rg) 或提高驱动电压。
    问题2: 热管理不佳导致过温。
    - 解决方案: 确保电路板有足够的散热能力,增加散热片或采用外部风扇辅助散热。
    问题3: 开关噪声大。
    - 解决方案: 在电源线和接地线上添加滤波电容,减少电磁干扰 (EMI)。

    总结和推荐


    总体来看,Power MOSFET 在高可靠性和高性能方面表现出色,适合于广泛的应用场景。通过上述详细的技术参数和使用建议,用户可以更有效地选择和使用该产品。综上所述,我强烈推荐使用这款Power MOSFET,因为它在高效电力管理和控制方面表现卓越,且具备良好的市场竞争力。

N10L26-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

N10L26-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

N10L26-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 N10L26-VB N10L26-VB数据手册

N10L26-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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