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FS5AS-10-T13-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: FS5AS-10-T13-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS5AS-10-T13-VB

FS5AS-10-T13-VB概述


    产品简介


    FS5AS-10-T13 N-Channel MOSFET
    FS5AS-10-T13 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件的主要特点是低栅极电荷(Qg),高开关速度和增强的耐用性。它广泛应用于电源管理、电机驱动和各种工业自动化设备中,尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 ~ 4.0 V
    - 栅源漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 零栅压漏电流(IDSS):10 µA @ 650 V, 100 µA @ 520 V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.95 Ω @ 10 V
    - 总栅极电荷(Qg):15 nC
    - 输入电容(Ciss):320 pF
    - 输出电容(Coss):75 pF
    - 反向传输电容(Crss):83 pF
    - 最大脉冲电流(IDM):16 A
    - 重复雪崩电流(IAR):34 A
    - 最大脉冲能量(EAR):120 mJ
    - 最高工作温度(TJ):-55°C ~ +150°C
    - 封装形式:TO-220AB, TO-252, TO-251

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):低Qg意味着驱动要求简单,这可以降低整个电路的设计复杂度和成本。
    2. 增强的耐用性:FS5AS-10-T13 具备改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性,使其能够在苛刻的环境下稳定运行。
    3. 全参数特性:包括Coss、Ciss、Crss等电容特性已完全标定,确保了产品的可靠性和一致性。
    4. RoHS合规:符合欧盟关于有害物质限制的指令,保证了环保性和合规性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:在AC-DC转换器中作为开关元件,利用其低RDS(on)实现高效能转换。
    - 电机驱动:由于其高耐压能力和快速开关特性,在电机驱动系统中可有效减少损耗,提高效率。
    使用建议
    1. 热设计:考虑到FS5AS-10-T13的最大功耗为205 W,必须采取有效的散热措施,如使用大尺寸散热片或风扇,以确保在高功率下正常工作。
    2. 驱动电路:为了更好地发挥其低栅极电荷的优势,建议使用简单的驱动电路,如图10a所示的测试电路。同时,适当的栅极电阻(RG)选择也很关键,比如在图10b中展示的开关时间波形。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FS5AS-10-T13 与其他常见的电源管理和驱动控制芯片具有良好的兼容性,便于集成到现有的系统中。
    - 支持:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和在线技术支持,确保客户能够顺利地将产品集成到自己的应用中。

    常见问题与解决方案


    1. 栅极电荷过高导致的驱动困难
    - 解决方法:增加栅极驱动电路的容量,适当减小栅极电阻RG。
    2. 高温下工作不稳定
    - 解决方法:采用更大面积的散热器或更好的冷却方案,确保工作温度不超出规定范围。

    总结和推荐


    综上所述,FS5AS-10-T13是一款在性能和可靠性方面表现优异的N沟道MOSFET。其低栅极电荷、高耐压和快速开关等特性使其成为电源管理和电机驱动领域的理想选择。特别是其符合RoHS标准和完善的客户支持体系,进一步增强了其市场竞争力。因此,强烈推荐FS5AS-10-T13用于需要高可靠性和高性能的应用场景。如果您对具体应用有疑问,VBsemi的技术团队会提供专业的帮助和支持。

FS5AS-10-T13-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FS5AS-10-T13-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS5AS-10-T13-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FS5AS-10-T13-VB FS5AS-10-T13-VB数据手册

FS5AS-10-T13-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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