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K2494-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K2494-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2494-01-VB

K2494-01-VB概述

    K2494-01-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2494-01-VB 是一款N沟道60V (漏极-源极) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用表面贴装技术,并且能够通过卷带式包装方便地使用。此MOSFET具有低栅极驱动电压、快速开关特性和无卤素材料,符合RoHS指令2002/95/EC。这些特性使其在电源管理、电机控制、LED照明以及其他需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏极-源极电压 (VDS): 60 V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (ID): 50 A (TC = 25 °C), 36 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 200 A
    - 最大功率耗散 (PD): 150 W (TC = 25 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 400 mJ
    - 最大结温 (TJ): -55 to +175 °C
    - 静态特性:
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS): 60 V
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)): 1.0 - 2.5 V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 25 μA (VDS = 60 V, VGS = 0 V)
    - 漏极-源极通态电阻 (RDS(on)): 0.024 Ω (VGS = 10 V), 0.028 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 190 pF
    - 输出电容 (Coss): -
    - 反向传输电容 (Crss): -
    - 总栅极电荷 (Qg): 66 nC
    - 热阻抗:
    - 结点到环境最大热阻 (RthJA): 62 °C/W (最大值)
    - 结点到散热片最大热阻 (RthJC): 1.0 °C/W (最大值)

    产品特点和优势


    K2494-01-VB 的主要优势在于其高性能和高可靠性。该MOSFET采用无卤素材料并符合RoHS标准,确保在各种应用场景中更加环保。此外,其逻辑级栅极驱动和快速开关能力使得在高频和高电流应用中表现优异。高耐受电压和雪崩能量使其在极端工作环境下也具备良好的耐用性。

    应用案例和使用建议


    K2494-01-VB 广泛应用于各种电子设备中,如电源转换器、电机控制器、逆变器等。以下是几个典型的应用场景及使用建议:
    - 电源转换器:由于其高效率和快速开关特性,适用于高频率工作的直流-直流转换器。
    - 电机控制器:快速开关时间和高耐压使得它适用于高速电机的控制。
    - LED照明:其低RDS(on)特性有助于减少功耗和热量产生,适合用于LED背光灯或其他照明系统。
    使用时建议确保良好的散热设计,以保持器件在高温下的稳定运行。同时,考虑布局上的低杂散电感,这将有助于提高整体系统的性能。

    兼容性和支持


    K2494-01-VB 设计为与市场上主流的表面贴装技术兼容,并提供多种封装选项,使其易于集成到现有设计中。VBsemi公司提供了详尽的技术支持文档,包括数据手册、应用笔记和技术支持热线(400-655-8788),帮助用户解决任何技术难题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的散热措施?
    - 解决方法:根据具体应用需求计算所需散热片面积,或参考数据手册中的热阻抗参数来选择合适的散热策略。

    2. 问题:如何测试MOSFET的开关性能?
    - 解决方法:利用专门的测试电路和仪器进行测量,如测试其开关时间、反向恢复时间等参数。参考数据手册中的测试电路图进行测试。

    3. 问题:如何避免因热失控导致的损坏?
    - 解决方法:确保良好的散热设计,并在电路设计中加入过温保护措施,例如通过温度传感器监测器件温度。

    总结和推荐


    K2494-01-VB 在多个方面表现出色,包括其高耐压、快速开关、逻辑级驱动以及环保特性。对于追求高性能、高可靠性的电源管理和控制系统,这款MOSFET是理想的选择。综上所述,强烈推荐使用K2494-01-VB 来实现您的电子设计需求。

K2494-01-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2494-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2494-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2494-01-VB K2494-01-VB数据手册

K2494-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
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