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UT5504L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
供应商型号: UT5504L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT5504L-TN3-R-VB

UT5504L-TN3-R-VB概述


    产品简介


    UT5504L-TN3-R 是一款由台湾VBsemi Electronics公司生产的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用TrenchFET®技术,具备低热阻封装,能够在多种电力电子应用中发挥关键作用。此产品广泛应用于通信设备、电源管理、工业控制及汽车电子等领域。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压(VDS) | -40V |
    | 栅源电压阈值(VGS(th)) | -1.5V ~ -2.5V |
    | 栅源泄漏电流(IGSS) | ± 100nA |
    | 零栅压漏极电流(IDSS) | -1V @ VDS=-40V, TJ=25°C |
    | 导通状态漏极电流(ID(on)) | -50A @ VGS=-10V |
    | 导通状态电阻(RDS(on)) | 0.012Ω @ VGS=-10V, ID=-17A |
    | 转导电容(gfs) | 61S @ VDS=-15V, ID=-17A |
    | 输入电容(Ciss) | 2872pF @ VDS=-25V, f=1MHz |
    | 输出电容(Coss) | 508pF @ f=1MHz |
    | 逆向转移电容(Crss) | 352pF @ f=1MHz |
    | 总栅极电荷(Qg) | 60nC @ VDS=-30V, ID=-50A |
    | 热阻(RthJA) | 50°C/W @ TC=25°C |
    | 最大脉冲栅极电阻(Rg) | 4.5Ω @ f=1MHz |

    产品特点和优势


    UT5504L-TN3-R 主要特点包括:
    - TrenchFET® 技术:具有高效率和低功耗的优点。
    - 低热阻封装:有效提高散热能力,降低温度漂移。
    - 百分之百Rg和UIS测试:确保产品的稳定性和可靠性。
    这些特点使得该产品在各种电力应用中表现出色,尤其是在对温度敏感的应用中,具有显著的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    UT5504L-TN3-R 主要应用于:
    - 通信设备:为高频率通信系统提供高效的开关控制。
    - 工业控制:用于高可靠性的电机驱动和电源转换。
    - 汽车电子:适用于电动汽车的电池管理系统。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热设计,避免长时间过载导致损坏。
    - 使用适当的驱动电路以确保正确启动和关闭。
    - 定期检查温度和电流,确保设备运行正常。

    兼容性和支持


    UT5504L-TN3-R 与常见的PCB尺寸兼容,适用于大多数标准的安装和焊接工艺。制造商提供了详细的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),帮助客户解决问题并提供使用指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加强散热措施,如使用散热片或增加通风。 |
    | 电流不稳定 | 检查驱动电路和负载连接,确保正确连接。 |
    | 启动延迟 | 优化驱动信号和栅极电阻,确保快速开启。 |

    总结和推荐


    总体而言,UT5504L-TN3-R 是一款出色的P沟道功率MOSFET,具有高效率、低损耗和优秀的散热能力。其应用范围广,特别适合于需要高效能电力转换和控制的应用。对于需要高可靠性、低功耗和良好散热性能的设计项目,强烈推荐使用这款产品。

UT5504L-TN3-R-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 65A
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT5504L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT5504L-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT5504L-TN3-R-VB UT5504L-TN3-R-VB数据手册

UT5504L-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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