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FQPF70N06C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: FQPF70N06C-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF70N06C-VB

FQPF70N06C-VB概述

    # FQPF70N06C-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    FQPF70N06C-VB 是一款高性能的 N 沟道 60V(漏极-源极)MOSFET,专为高效能电力应用设计。它采用 TO-220 Fullpak 封装,具有高电压隔离能力(2.5 kVRMS),适用于多种工业和消费电子领域。
    主要功能
    - 高压隔离:达到 2.5 kVRMS(60 Hz,持续 60 秒)。
    - 低热阻:优秀的散热性能,适合高功率应用。
    - 动态 dv/dt 评级:出色的开关速度。
    - 工作温度范围广:支持 -55°C 至 +175°C 的操作温度。
    应用领域
    广泛应用于电机驱动、电源管理、逆变器系统、电池管理系统等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 60 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 3.0 | V |
    | 栅源漏电电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.027 Ω |
    | 最大连续漏极电流 | ID 45 A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM 220 A |
    | 集电极-源极间动态电容 | Coss 100 pF |
    | 输入电容 | Ciss 1500 pF |
    工作环境
    - 操作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 最大功率耗散:52W(TC = 25°C)

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 高电压隔离:2.5 kVRMS 的高压隔离能力确保设备的安全性和可靠性。
    2. 低热阻:通过先进的封装技术实现高效的热管理。
    3. 快速开关速度:支持高频切换应用,提升系统效率。
    4. 宽温范围:适应极端工作环境,满足严苛应用需求。
    市场竞争力
    FQPF70N06C-VB 在同类产品中表现出色,其高集成度和高性能使其成为电机驱动和电源管理的理想选择。此外,它符合 RoHS 和无铅标准,适合环保要求高的市场。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 电机驱动:利用其快速开关速度,降低功耗并提高效率。
    2. 逆变器系统:适合用于太阳能逆变器和储能系统中。
    3. 电源管理:可作为开关管,用于高效 DC-DC 转换器。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保 PCB 布局合理,减少寄生电感的影响。
    - 使用低热阻的散热片以改善散热效果。
    - 在高功率应用中,结合热管理策略,避免因过热导致失效。

    兼容性和支持


    兼容性
    FQPF70N06C-VB 可与其他主流电子元器件兼容,适用于多种电路设计。官方提供详尽的技术支持和售后服务。
    支持信息
    - 客户服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:www.VBsemi.com

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何处理热管理?
    解决方法:安装高效的散热片,并确保良好的空气流通。
    问题 2:如何避免过压损坏?
    解决方法:在电路中加入 TVS 二极管或其他保护装置。
    问题 3:如何延长产品寿命?
    解决方法:定期检查电路,确保所有元器件工作在额定范围内。

    总结和推荐


    综合评估
    FQPF70N06C-VB 具有卓越的性能、可靠的高电压隔离能力和广泛的温度适应性,是一款值得信赖的产品。其在电机驱动、电源管理和逆变器系统中的表现尤为突出。
    推荐结论
    强烈推荐 FQPF70N06C-VB 用于需要高性能和高可靠性的电力电子应用中。如果您正在寻找一款兼具成本效益和技术优势的 MOSFET,这款产品无疑是最佳选择之一。

FQPF70N06C-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 45A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQPF70N06C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF70N06C-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF70N06C-VB FQPF70N06C-VB数据手册

FQPF70N06C-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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