处理中...

首页  >  产品百科  >  K4029-VB

K4029-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3在电动工具控制器中,可用作电机驱动器件,通过其高压承受能力和低导通电阻,实现电动工具的高效驱动和性能提升。
供应商型号: K4029-VB SC70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4029-VB

K4029-VB概述

    N-Channel 20V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本产品是一款 N-Channel 20V (D-S) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽栅技术(TrenchFET®)。该产品主要用于便携式设备中,如负载开关、电池开关等。N-Channel MOSFET 广泛应用于电机、继电器和电磁铁的负载开关中,提供高效率和可靠性。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS): 20V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±12V
    - 连续漏极电流 (TC=25°C): 4A
    - 脉冲漏极电流 (t=300μs): 20A
    - 最大功率耗散 (TC=25°C): 2.8W
    - 静态参数
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS): 20V
    - 栅极-源极阈值电压 (VGS(th)): 0.6~1.3V
    - 漏极电流 (ID(on)): 15A @ VDS ≥ 5V, VGS = 4.5V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on)):
    - 0.036Ω @ VGS = 10V, ID = 3.7A
    - 0.040Ω @ VGS = 4.5V, ID = 3.6A
    - 0.048Ω @ VGS = 2.5V, ID = 1.5A
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 (Qg): 8.8nC ~ 13.5nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 0.1µs ~ 0.58µs
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 1.9µs ~ 3.8µs

    3. 产品特点和优势


    - 环保认证:符合 RoHS 和 IEC 61249-2-21 标准,无卤素,适合环保要求高的应用场景。
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 技术,提高散热效率和耐压能力。
    - ESD 保护:具备 2000V HBM ESD 保护,确保在高静电环境下稳定运行。
    - 低导通电阻:低至 0.036Ω 的导通电阻,减少功耗和热损耗,提升整体能效。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:用于便携式设备的电池开关,有效管理电源分配,延长电池寿命。
    - 电机驱动:应用于小型电机和电磁铁控制,确保快速响应和精确控制。
    使用建议:
    - 在使用时,确保 VGS 不超过 12V,以避免栅极损坏。
    - 高温环境中使用时,需注意散热措施,确保不超过 150°C 的工作温度限制。
    - 在高功率应用中,建议增加外部散热片,以降低内部温升,提高长期稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品适用于多种便携式设备,可与标准 FR4 板材无缝集成。
    - 厂商提供技术支持和质量保证,确保客户顺利使用和维护。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保 MOSFET 在高电流下不烧毁?
    - A: 确保使用合适的散热片,并在高电流情况下适当降低 VGS 电压。

    - Q: 如何提高 MOSFET 的开关速度?
    - A: 减小栅极电阻 (Rg),可以显著提高开关速度,但需注意不会导致过高的电流。

    7. 总结和推荐


    总结:这款 N-Channel 20V (D-S) MOSFET 通过先进的 TrenchFET® 技术,实现了低导通电阻和高可靠性的完美结合。其优秀的 ESD 保护和环保特性,使其成为便携式设备中理想的负载开关解决方案。
    推荐:强烈推荐此款 MOSFET 给需要高效率、低功耗且环保的便携式设备制造商。其在负载开关、电池管理等领域的优异表现,将为设备带来更好的性能和用户体验。

K4029-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4029-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4029-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4029-VB K4029-VB数据手册

K4029-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
70+ ¥ 0.389
300+ ¥ 0.3602
500+ ¥ 0.3457
3000+ ¥ 0.3313
库存: 400000
起订量: 70 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:70
合计: ¥ 27.23
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831