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K11A55D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K11A55D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K11A55D-VB

K11A55D-VB概述

    K11A55D-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    K11A55D-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于需要高电压和高性能的应用场景,如服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源(PFC)、照明设备和工业应用等。其特点是具有低导通电阻和高速切换能力,能够有效降低系统的损耗并提高效率。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):在 TC = 100°C 时为 9.4A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):mJ
    - 最大功率耗散 (PD):W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):3V 至 5V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10V,ID = 8A 时,典型值为 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 (Ciss):pF
    - 输出电容 (Coss):未明确
    - 反向转移电容 (Crss):未明确
    - 总栅电荷 (Qg):4nC 至 96nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):13ns 至 25ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):81ns 至 90ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):该器件具有较低的导通电阻,能够有效减少在大电流应用中的损耗,从而提高系统效率。
    - 低栅电荷 (Qg):总栅电荷仅为 4nC 至 96nC,这意味着在驱动时所需的能量更少,有利于提高开关速度。
    - 高可靠性:该器件能够承受高达 650V 的漏源电压,并且具备良好的耐受性,适用于恶劣的工作环境。
    - 快速开关特性:低输入电容 (Ciss) 和快速的开关时间使其适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 服务器和电信电源:用于高电压转换,提升整体系统效率。
    - 照明设备:特别是高亮度放电灯和荧光灯,K11A55D-VB 的高频率响应能力可显著改善照明效果。

    - 使用建议
    - 在高电流和高温环境下使用时,需注意散热管理,以避免因过热导致的损坏。
    - 使用高精度电流调节电路,确保漏极电流稳定,提高系统可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - K11A55D-VB 与其他标准的 TO-220 封装 MOSFET 具有良好的兼容性,可以直接替换现有设计中的同类器件。

    - 支持
    - VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可通过 400-655-8788 咨询产品和技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开关时间不稳定。
    - 解决办法: 检查驱动电路是否符合推荐规范,确保栅极电阻和信号线无干扰。

    - 问题 2: 漏极电流异常。
    - 解决办法: 仔细检查接线是否正确,确保外部条件(如温度)在正常范围内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K11A55D-VB N-Channel 650V Power MOSFET 具备高效能和高可靠性,特别适合于高电压、高频率和高电流的应用场合。鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐此款产品给那些需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。

K11A55D-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K11A55D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K11A55D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K11A55D-VB K11A55D-VB数据手册

K11A55D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
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500+ ¥ 3.8008
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