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RRS150N03-TB-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: RRS150N03-TB-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RRS150N03-TB-VB

RRS150N03-TB-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款适用于高边同步整流操作的场效应晶体管(MOSFET)。这款 MOSFET 集成了诸多先进的技术,例如 Halogen-free 和 TrenchFET® Power MOSFET 技术。其主要功能包括高效地实现高边开关功能,并且在热稳定性和稳定性方面表现出色。该产品广泛应用于笔记本电脑 CPU 核心供电系统中,是实现高性能电源转换的理想选择。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在 TC = 25°C 时为 13 A
    - 在 TC = 70°C 时为 7 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 45 A
    - 连续源-漏二极管电流 (IS):
    - 在 TC = 25°C 时为 3.7 A
    - 在 TA = 25°C 时为 2.0 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 20 A
    - 雪崩能量 (EAS): 21 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在 TC = 25°C 时为 4.1 W
    - 在 TC = 70°C 时为 2.5 W
    - 绝对最大额定值下的最大结-壳热阻 (RthJC): 39°C/W
    - 最大结-脚(漏)稳态热阻 (RthJF): 25°C/W
    - 最大工作结温 (TJ): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS = 10 V 时,RDS(on) 为 0.008Ω,在 VGS = 4.5 V 时,RDS(on) 为 0.011Ω。这意味着该 MOSFET 在高边开关操作中具有出色的效率。
    2. 高可靠性: 100% 经过 Rg 测试和 UIS 测试,确保了产品的可靠性和稳定性。
    3. 适用范围广: 适用于笔记本电脑 CPU 核心供电系统中的高边开关,确保在不同应用中的稳定运行。
    4. 环保材料: Halogen-free 材料的使用使其成为绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    该 MOSFET 常用于笔记本电脑 CPU 核心供电系统中,作为高边开关,以实现高效的电源转换。
    使用建议:
    1. 在使用过程中要注意控制温度,避免长时间在高温环境下工作。
    2. 确保电路设计符合产品的额定参数要求,特别是电源电压和电流。

    兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,适用于大多数笔记本电脑供电系统的高边开关设计。厂商提供了全面的技术支持和售后服务,包括技术咨询和故障排除等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: MOSFET 过热
    - 解决方案: 优化散热设计,确保在正常工作范围内。

    2. 问题: 电流过大导致损坏
    - 解决方案: 确认电流不超过产品规定的额定值,并使用适当的限流措施。

    总结和推荐


    总体而言,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款性能优异、可靠稳定的 MOSFET,适用于笔记本电脑 CPU 核心供电系统中的高边开关操作。其低导通电阻和高可靠性使其成为同类产品中的佼佼者。强烈推荐在相关应用中采用此产品。

RRS150N03-TB-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 11A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@4.5V,17mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Vgs-栅源极电压 15V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RRS150N03-TB-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RRS150N03-TB-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RRS150N03-TB-VB RRS150N03-TB-VB数据手册

RRS150N03-TB-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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