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K16A55D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: K16A55D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K16A55D-VB

K16A55D-VB概述

    # K16A55D-VB N-Channel 550V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K16A55D-VB 是一款高性能的 N 沟道 550V 功率 MOSFET,具有低面积特定导通电阻、低输入电容(Ciss)和减少的电容开关损耗等特点。该器件适用于消费电子、服务器和电信电源供应系统、工业焊接和感应加热、电机驱动、电池充电器及功率因数校正(PFC)等领域。其设计目标是实现最优效率和操作性能。

    技术参数


    主要技术规格
    - 最大漏源电压 (VDS): 550 V
    - 最大漏极电流 (ID): 18 A (TC = 25 °C),11 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 56 A
    - 最大结温 (TJ): 150 °C
    - 最大存储温度范围 (Tstg): -55 °C 至 +150 °C
    - 击穿电压 VDS 的温度系数 (ΔVDS/TJ): -0.56 V/°C
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2 V 至 4 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.26 Ω (VGS = 10 V, ID = 10 A)
    - 有效输出电容 (Co(er)): 131 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 80 nC 至 150 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 12 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 25 nC
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 281 mJ
    其他关键指标
    - 工作环境温度范围宽泛
    - 热阻抗 (RthJA): 最大 40 °C/W
    - 有效热阻抗 (RthJC): 最大 0.45 °C/W
    - 体二极管反向恢复时间 (trr): 437 ns
    - 体二极管反向恢复电荷 (Qrr): 5.9 μC

    产品特点和优势


    1. 优化设计
    - 低面积特定导通电阻
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 减少电容开关损耗
    - 高耐受性体二极管
    - 复发性雪崩能量额定 (UIS)
    2. 最优效率和操作
    - 低成本
    - 简单的门极驱动电路
    - 低优值 (FOM): Ron x Qg
    - 快速开关

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 消费电子: 用于 LCD 或等离子电视的显示器
    - 服务器和电信电源供应系统: 用于开关模式电源 (SMPS)
    - 工业应用: 用于焊接、感应加热和电机驱动
    - 电池充电器: 用于 PFC 应用
    使用建议
    1. 在高频率开关应用中,注意控制输入和输出电容以减少开关损耗。
    2. 设计散热系统时,考虑到最大功率耗散 (PD) 和热阻抗 (RthJA),确保可靠工作。
    3. 对于电池充电器和 PFC 应用,选择合适的栅极电阻 (Rg) 以优化开关性能和减小功耗。

    兼容性和支持


    K16A55D-VB 具有广泛的兼容性,可以与大多数标准驱动电路和应用电路兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助用户在各种应用场景中发挥最佳性能。此外,该公司还提供专业的技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定该 MOSFET 是否适合我的应用?
    - 答:参考产品手册中的电气特性和性能参数,确保所选器件符合您的应用需求。如有疑问,请联系技术支持团队。
    2. 问:如何减少器件的开关损耗?
    - 答:选择合适的栅极电阻 (Rg) 并优化电路布局以降低寄生电感,从而减少开关损耗。
    3. 问:如何处理过压保护?
    - 答:在电路中加入过压保护器件,例如瞬态电压抑制器 (TVS),以防止瞬时高压对器件造成损坏。

    总结和推荐


    K16A55D-VB N-Channel 550V Power MOSFET 是一款设计精良、性能优异的产品,适用于多种工业和消费电子应用。其低导通电阻、快速开关和高耐受性使其成为市场上最具竞争力的产品之一。强烈推荐在需要高效率和可靠性要求的应用中使用该产品。

K16A55D-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 550V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K16A55D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K16A55D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K16A55D-VB K16A55D-VB数据手册

K16A55D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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