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J506STR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: J506STR-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J506STR-VB

J506STR-VB概述


    产品简介


    本产品是一款P沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),型号为J506STR。该产品主要用于负载开关和笔记本适配器开关等领域。通过采用TrenchFET®技术,这款MOSFET不仅具有优异的性能,还符合无卤素环保标准。产品广泛应用于各种电源管理和控制场景中。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 额定电压:30V
    - 连续漏极电流(TC=25°C):-4.1A
    - 脉冲漏极电流:-112A
    - 最大耗散功率(TC=25°C):25W
    - 工作温度范围:-55°C至150°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(VDS):-30V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.033Ω (VGS=-10V),0.046Ω (VGS=-4.5V)
    - 输入电容(Ciss):1350pF (VDS=-15V, VGS=0V)
    - 输出电容(Coss):255pF
    - 反向传输电容(Crss):190pF
    - 总栅极电荷(Qg):27nC (VDS=-15V, VGS=-10V)
    - 热阻参数:
    - 最大结壳热阻(RthJC):38°C/W
    - 最大结-脚热阻(RthJF):20°C/W
    - 最大结-环境热阻(RthJA):38°C/W (t ≤ 10 s),46°C/W (t ≤ 10 s)

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:环保材料,减少环境污染。
    - 100%测试:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保可靠性和稳定性。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,具有低导通电阻和高耐压能力。
    - 多功能应用:适用于多种电源管理和控制电路。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:用于需要高可靠性开关的场合,例如服务器电源管理。
    - 笔记本适配器开关:保证笔记本电源稳定可靠,提高使用寿命。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免高温导致性能下降。
    - 在进行高速开关操作时,注意驱动信号的上升时间和下降时间,以优化整体性能。
    - 应用时考虑热设计,确保结温不超过150°C,以维持长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于标准的TO-252封装,适合大多数PCB布局。
    - 支持:制造商提供详细的技术支持和售后服务,包括安装指南、技术文档和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品是否可以用于高温环境?
    - 答:是的,该产品的最大工作温度可达150°C,适合高温环境使用。
    2. 问:如何确保产品的可靠性?
    - 答:产品经过100% Rg和UIS测试,确保每一件产品的可靠性和稳定性。
    3. 问:是否可进行脉冲操作?
    - 答:可以,但需要注意脉冲宽度不超过300µs,且占空比小于2%。

    总结和推荐


    J506STR MOSFET具备出色的电气特性和良好的热稳定性,尤其适用于需要高可靠性开关的应用场景。无卤素设计和环保材料使得该产品在环保要求较高的场合更具优势。综上所述,该产品非常适合用于电源管理和控制电路中,值得推荐使用。

J506STR-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 26A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J506STR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J506STR-VB数据手册

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J506STR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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