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K2098-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F 由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: K2098-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2098-01MR-VB

K2098-01MR-VB概述


    产品简介


    基本介绍
    本文档介绍的是VBsemi公司生产的型号为K2098-01MR-VB的N-Channel MOSFET(电子场效应晶体管)。这种MOSFET是一种低压开关电源转换器件,常用于高频开关电源、电机驱动和电源管理等领域。该产品支持表面贴装和低轮廓通孔两种安装方式,并且能够满足RoHS和无卤素标准。

    技术参数


    以下列出了K2098-01MR-VB的技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):200V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 连续漏电流 (ID):20A (TC=25°C), 14A (TC=100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):72A
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):≤25μA (VDS=160V, VGS=0V, TJ=125°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.058Ω (VGS=10V, ID=11A)
    - 栅极电荷 (Qg):64nC
    - 输入电容 (Ciss):1300pF (VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz)
    - 输出电容 (Coss):430pF
    - 反向传输电容 (Crss):130pF
    - 最高结温 (TJ):150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 封装尺寸 (TO-220 FULLPAK):符合JEDEC标准

    产品特点和优势


    K2098-01MR-VB具备多项独特功能和优势:
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21标准,减少对环境的影响。
    - 快速切换:动态dV/dt额定值达到5.0V/ns,适合高频率应用。
    - 高温适应性:可在高达150°C的环境下稳定工作,适用于恶劣的工作环境。
    - 全雪崩等级:完全符合雪崩保护要求,确保安全运行。
    - 小体积设计:提供低轮廓通孔安装方式,适合紧凑空间设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K2098-01MR-VB可广泛应用于各种电子电路中,例如高频开关电源、电机驱动和电源管理系统等。它特别适用于需要高速开关和高温工作环境的应用场合。
    使用建议
    在使用K2098-01MR-VB时,应关注以下几个方面:
    1. 热管理:确保良好的散热设计,以避免过热损坏。参考图11所示的最大瞬态热阻抗曲线来计算热阻。
    2. 浪涌电流处理:由于具有较大的重复雪崩能量 (EAR),应在电路中加入必要的保护措施。
    3. 布局设计:确保PCB布线具有较低的寄生电感和泄漏电感,从而减少不必要的噪声干扰。

    兼容性和支持


    K2098-01MR-VB可与多种主流电子元器件兼容,支持表面贴装和低轮廓通孔安装。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括产品手册、测试电路和样品申请服务。如有需要,客户还可以通过服务热线400-655-8788获得技术支持和咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 温度过高 | 检查散热设计是否合理,增加散热片或散热器 |
    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻 (Rg) 和驱动器设置,优化波形 |
    | 电流不稳定 | 检查负载和电源稳定性,确保符合额定条件 |

    总结和推荐


    K2098-01MR-VB是一款高性能、可靠的N-Channel MOSFET,尤其适合在高频开关电源、电机驱动和电源管理领域中应用。其卓越的快速切换性能和高温适应能力使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电子设计工程师。

K2098-01MR-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2098-01MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2098-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2098-01MR-VB K2098-01MR-VB数据手册

K2098-01MR-VB封装设计

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500+ ¥ 5.795
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