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UPA1980TE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),65mΩ@4.5V,90mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-0.45Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1980TE-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1980TE-VB

UPA1980TE-VB概述

    UPA1980TE 双P沟道20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UPA1980TE 是一款高性能的双P沟道20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于便携式设备的负载开关和电池切换,也可用于计算机系统中的总线开关和负载开关。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻和高可靠性等特点,使其成为电源管理领域的理想选择。

    技术参数


    以下是UPA1980TE的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | -20 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±12 V |
    | 漏极连续电流 (TJ=150°C) | ID | - | - | -4.0 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | -8 | A |
    | 源极连续电流 | IS | - | - | -1.17 | A |
    | 最大功率耗散 (TC=25°C) | PD | - | 1.4 | W |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | - | 93 | 110 | °C/W |
    | 工作结温范围 | TJ | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:UPA1980TE 的导通电阻在 VGS = -4.5V 下为 0.065Ω,在 VGS = -2.5V 下为 0.090Ω。这有助于减少能量损耗,提高能效。
    2. 高可靠性和稳定性:通过设计和测试确保 100% RG 测试合格。
    3. 环保材料:符合RoHS标准,无卤素,满足环保要求。
    4. 先进的工艺:采用TrenchFET技术,提高了性能并减少了体积。

    应用案例和使用建议


    UPA1980TE 主要应用于以下几个方面:
    1. 便携式设备负载开关:如手机、平板电脑等设备中的负载开关,能够有效控制电源供应,延长电池寿命。
    2. 电池切换:用于便携式设备中的电池切换,确保电源稳定转换。
    3. 计算机系统中的总线开关:可以应用于各种计算机系统,作为高效、可靠的开关元件。
    使用建议:
    - 在高电流应用场景下,建议增加散热措施以避免过热。
    - 在负载变化较大时,确保电路设计有足够的余量来处理瞬态电流。

    兼容性和支持


    UPA1980TE 与其他电子元件具有良好的兼容性,适用于多种电路板设计。VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品规格书、设计指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备温度过高导致性能下降
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,降低设备温度。
    2. 问题:设备在脉冲模式下无法正常工作
    - 解决方案:检查脉冲宽度和占空比是否符合规范,调整参数设置。
    3. 问题:设备在高温环境下表现不稳定
    - 解决方案:检查电路设计,确保符合最大额定值的要求。

    总结和推荐


    UPA1980TE 是一款性能卓越的双P沟道20V MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性和环保特性。适用于多种便携式设备和计算机系统。建议在需要高效电源管理和高可靠性应用场合优先考虑使用。VBsemi公司提供的技术支持和优质服务也增强了产品的市场竞争力。
    推荐使用:强烈推荐用于需要高效电源管理和稳定性能的各类电子设备中。

UPA1980TE-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@4.5V,90mΩ@2.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1980TE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1980TE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1980TE-VB UPA1980TE-VB数据手册

UPA1980TE-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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