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UT4404G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UT4404G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4404G-S08-R-VB

UT4404G-S08-R-VB概述

    UT4404G-S08-R N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UT4404G-S08-R 是一款高性能的 N 沟道 30V(D-S)功率 MOSFET,特别适用于高侧同步整流操作。其广泛应用于笔记本电脑处理器核心的高侧开关电路中。该 MOSFET 采用平面封装,具备低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够满足高效能计算和电源管理的要求。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 13 A (TC = 25°C), 9 A (TC = 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 45 A
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 µA (VDS = 30 V, VGS = 0 V)
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)): 20 A (VDS ≥ 5 V, VGS = 10 V)
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - 0.008 Ω (VGS = 10 V, ID = 10 A)
    - 0.011 Ω (VGS = 4.5 V, ID = 9 A)
    - 输入电容 (Ciss): 800 pF (VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 165 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 73 pF
    - 总栅电荷 (Qg): 15 nC (VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
    - 热性能参数:
    - 热阻抗 (RthJA): 39 °C/W (最大值),55 °C/W (典型值)
    - 热阻抗 (RthJF): 25 °C/W (最大值),29 °C/W (典型值)


    3. 产品特点和优势


    - Halogen-free 设计:符合 RoHS 和无卤素标准,确保环保合规。
    - TrenchFET® Power MOSFET:具有低导通电阻和高效率的优点,适合高频率和高功率密度的应用。
    - 优化的高侧同步整流操作:能够显著提高系统的整体效率和可靠性。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保每个单元均经过严格的测试,保证质量。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该 MOSFET 主要应用于笔记本电脑处理器的核心高侧开关电路中,提供高效的电源管理和保护功能。
    - 使用建议:为了充分发挥其性能,建议在其额定工作温度范围内使用,并根据具体应用场景选择合适的驱动器。此外,在设计电路时应考虑散热措施,以确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:UT4404G-S08-R 与常见的 PCB 布局兼容,可以方便地集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和故障排除指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过载时 MOSFET 过热。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保良好的热传导。
    - 问题2:导通时电压不稳定。
    - 解决方案:检查栅极驱动信号的质量和稳定性,确保信号波形正常。
    - 问题3:工作温度超出限制。
    - 解决方案:考虑使用散热措施或将 MOSFET 移至温度较低的环境中使用。

    7. 总结和推荐


    综上所述,UT4404G-S08-R MOSFET 具有出色的性能和可靠的设计,特别适合笔记本电脑处理器核心的高侧开关电路。其低导通电阻、高电流处理能力和良好的热管理性能使其成为高效电源管理系统中的理想选择。强烈推荐在相关应用中使用此产品。如果您需要更多技术支持或详细的参数信息,请联系 VBsemi 客服部门。

UT4404G-S08-R-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
配置 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4404G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4404G-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4404G-S08-R-VB UT4404G-S08-R-VB数据手册

UT4404G-S08-R-VB封装设计

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