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9T16J-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
供应商型号: 9T16J-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9T16J-VB

9T16J-VB概述

    电子元器件产品技术手册解读

    产品简介


    本产品是一款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,采用TrenchFET® Gen III Power MOSFET技术设计制造。其广泛应用于DC/DC转换、系统电源等领域。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的场合。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 30 | V |
    | 持续漏极电流(ID) 50 A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) 150 | A |
    | 雪崩电流(IAS) 25 | A |
    | 雪崩能量(EAS) 40 | mJ |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 150 | °C |
    | 热阻抗(RthJA) 29~36 °C/W |

    产品特点和优势


    该MOSFET采用了先进的TrenchFET® Gen III技术,具有以下显著优势:
    - 低导通电阻:典型值仅为7mΩ@10V,大幅降低了能耗。
    - 高可靠性:100% Rg测试和100% UIS测试确保了产品的质量和稳定性。
    - 广泛适用性:适用于多种直流电路转换及高功率系统电源。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于各种高性能的直流转换场景,如服务器电源管理系统、工业控制设备等。建议在使用时注意散热管理,尤其是在高电流条件下,需配备良好的散热装置以保证设备长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品完全符合RoHS标准,并且是无卤素设计,这使其成为环保型电子产品的理想选择。制造商提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决任何可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品过热现象严重。
    解决方案:增加外部散热片或改善PCB布局以增强空气流通。
    2. 问题:启动时出现不稳定情况。
    解决方案:检查电路连接是否正确,尤其是门极驱动电路的设计。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其卓越的技术参数、可靠性和适用范围,在众多应用场合中表现优异。强烈推荐给那些寻求高效能、低成本解决方案的专业人士和技术团队。如果您正在寻找一款能够满足复杂需求且性价比高的电子元件,这款产品无疑是一个值得考虑的选择。

9T16J-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,8mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.92V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9T16J-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9T16J-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9T16J-VB 9T16J-VB数据手册

9T16J-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
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4000+ ¥ 1.1597
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