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9418GM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: 9418GM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9418GM-VB

9418GM-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品是一款N沟道30V(D-S)功率MOSFET,采用TrenchFET®技术制造,适用于高边同步整流操作。该产品适用于笔记本电脑CPU核心的高边开关。其环保设计符合无卤素标准,确保在高可靠性应用场景下的安全性。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C): 18 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 50 A
    - 连续源漏二极管电流 \( IS \): 3.8 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 22 A
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 24 mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 4.5 W
    - 工作结温和存储温度范围: -55 °C 到 150 °C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 V 至 3.0 V
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): ± 100 nA
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): 1 μA (VDS = 30 V, VGS = 0 V)
    - 正向转移电导 \( g{fs} \): 52 S
    - 输入电容 \( C{iss} \): 820 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 195 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 73 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \): 15 nC 至 23 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 2.5 nC
    - 栅极电阻 \( Rg \): 0.36 Ω 至 3.6 Ω
    - 导通延迟时间 \( td(on) \): 8 ns 至 24 ns
    - 上升时间 \( tr \): 10 ns 至 20 ns
    - 关断延迟时间 \( td(off) \): 16 ns 至 24 ns
    - 下降时间 \( tf \): 8 ns 至 15 ns
    - 动态特性
    - 源漏二极管前向电压 \( V{SD} \): 0.8 V 至 1.2 V
    - 二极管反向恢复时间 \( t{rr} \): 15 ns 至 30 ns
    - 二极管反向恢复电荷 \( Q{rr} \): 6 nC 至 12 nC

    产品特点和优势


    1. 高效能: 优化的TrenchFET®技术使得其具有低导通电阻 \( R{DS(on)} \),适合高边同步整流操作。
    2. 环境友好: 无卤素设计符合RoHS和Halogen-Free标准,提高了产品的环保属性。
    3. 可靠测试: 所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保产品在实际应用中的高可靠性。
    4. 多功能: 适用于笔记本电脑CPU核心的高边开关,具有广泛的应用前景。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 笔记本电脑CPU核心高边开关
    - 使用建议:
    - 在使用过程中,确保电路设计满足散热需求,避免因过热导致性能下降。
    - 注意电源管理,以确保系统稳定性,特别是在高负载条件下。

    兼容性和支持


    - 该产品与标准SO-8封装兼容,易于集成到现有电路中。
    - 厂商提供技术支持和维护,包括产品手册和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - Q: 温度范围有限制吗?
    - A: 该产品的工作结温范围为 -55 °C 至 150 °C。为了保证性能,应在规定的温度范围内使用。

    - Q: 如何进行散热管理?
    - A: 采用合适的散热片或冷却方案,确保在高温环境下不会超过最大结温。

    总结和推荐


    这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别是在高边同步整流操作中表现出色。其环保设计和严格的测试保证了其在实际应用中的表现。建议在需要高效能和稳定性的应用场景中优先考虑此产品。

9418GM-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
Id-连续漏极电流 18A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9418GM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9418GM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9418GM-VB 9418GM-VB数据手册

9418GM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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