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NDD60N900U1T4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: NDD60N900U1T4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDD60N900U1T4G-VB

NDD60N900U1T4G-VB概述

    NDD60N900U1T4G 4VQFS+VODUJPO Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NDD60N900U1T4G 是一种高电压 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种应用领域。其独特的设计使其能够提供极低的导通电阻和栅极电荷,从而显著降低开关和导通损耗。这款 MOSFET 主要应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明系统,特别是高强度放电灯(HID)和荧光灯球形灯具。此外,它也广泛用于工业应用中。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):最大为 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大为 0.7Ω(在 VGS=10V 下)
    - 总栅极电荷 (Qg):最大为 32nC
    - 输入电容 (Ciss):典型值为 147pF
    - 输出电容 (Coss) 和 反向传输电容 (Crss):分别无特定数值,具体见特性图
    - 最大连续漏极电流 (ID):在 TC=25°C 时为 8A,在 TC=100°C 时为 7A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):为 20A
    - 最大耗散功率 (PD):为 150W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗: 具有极低的栅极电荷和输入电容,显著减少开关和导通损耗。
    - 高效: 低导通电阻设计有助于提高转换效率。
    - 稳定性: 在高电压和高温环境下仍能稳定运行。
    - 广泛适用: 适用于多种高要求的应用环境,如服务器电源、通信设备及照明控制。

    4. 应用案例和使用建议


    NDD60N900U1T4G 在服务器电源供应系统中表现出色,可有效提高系统整体效率并降低能耗。对于照明系统的应用,比如高强度放电灯和荧光灯,这款 MOSFET 的高耐压特性确保其能够在恶劣条件下可靠工作。在使用过程中,建议确保散热设计良好以防止过热,并适当调整驱动信号以确保稳定的开关操作。

    5. 兼容性和支持


    NDD60N900U1T4G 采用标准封装(如 TO-220AB、TO-252 等),可轻松与其他标准元件兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可通过 400-655-8788 联系服务热线获取进一步的技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中出现异常波动?
    - A: 检查驱动电路,确保驱动信号正确且驱动电阻合适。
    - Q: 温度过高导致器件损坏?
    - A: 确保良好的散热设计,使用适当的热管理措施,例如使用散热片或增加通风。
    - Q: 长期工作下效率下降?
    - A: 检查电路布局,减少杂散电感,避免长时间过载运行。

    7. 总结和推荐


    NDD60N900U1T4G 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,特别适合于需要高可靠性、低损耗的应用场合。其优异的电气特性、宽泛的工作温度范围和良好的兼容性,使其成为众多高要求应用的理想选择。强烈推荐在服务器电源、通信设备及照明控制系统中使用此产品。

NDD60N900U1T4G-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDD60N900U1T4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDD60N900U1T4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDD60N900U1T4G-VB NDD60N900U1T4G-VB数据手册

NDD60N900U1T4G-VB封装设计

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