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JCS630FA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: JCS630FA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS630FA-VB

JCS630FA-VB概述


    产品简介


    JCS630FA-VB是一款N沟道200V(漏-源)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它适用于需要高电压隔离、低热阻和高速开关的应用场合。此MOSFET具有强大的动态dv/dt(电压变化率)能力和极低的门极泄漏电流,非常适合高频和高功率应用。它广泛应用于工业控制、电源转换系统、通信设备以及其他需要高可靠性与高性能的领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏-源电压(VDS): 200 V
    - 门-源电压(VGS): ±20 V
    - 最大连续漏极电流(ID): 10°C时为6.5 A;100°C时为6.5 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 32 A
    - 最大峰值门极驱动恢复电压(dV/dt): 5.5 V/ns
    - 绝对最大工作温度(TJ, Tstg): -55至+175 °C
    - 电阻参数
    - 饱和漏极-源电阻(RDS(on)): VGS=10 V时为0.265 Ω
    - 输入电容(Ciss): 560 pF(VGS=0 V,VDS=25 V)
    - 输出电容(Coss): -
    - 反向传输电容(Crss): -
    - 总栅极电荷(Qg): 16 nC
    - 栅极-源电荷(Qgs): 5 nC
    - 栅极-漏电荷(Qgd): 8 nC
    - 其他参数
    - 开启延时时间(td(on)): 8 ns
    - 上升时间(tr): 30 ns
    - 关闭延时时间(td(off)): 19 ns
    - 内部漏极电感(LD): 4.5 nH
    - 内部源电感(LS): 7.5 nH

    产品特点和优势


    JCS630FA-VB的主要特点是其卓越的高电压隔离能力(2.5 kVRMS),能够承受175°C的工作温度,适合极端环境下的应用。此外,它的低热阻有助于提高效率并减少温升,延长使用寿命。其快速开关时间和低内部电感使其适用于高频电路设计。该产品还提供无铅封装选项,符合RoHS标准,确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JCS630FA-VB MOSFET在工业自动化设备、通信设备以及电源转换系统中有着广泛的应用。例如,在高频逆变器中作为开关元件,可以有效提升能效和可靠性。
    使用建议
    - 散热管理:考虑到高功率应用中的高热损耗,建议使用散热片或散热器以提高热管理效果。
    - 布局优化:为了减小寄生电感的影响,推荐将MOSFET放置在靠近接地平面的位置,减少寄生电感。
    - 驱动电路设计:采用适当的门极驱动电路,确保良好的驱动信号完整性,避免开关过程中的振荡。

    兼容性和支持


    JCS630FA-VB MOSFET与其他大多数电子元器件具有良好的兼容性,特别是与标准的电源管理IC和控制器搭配使用。制造商提供详尽的技术支持,包括应用指南和设计工具,帮助客户快速部署到设计中。同时,产品符合RoHS和无卤素标准,满足全球范围内的环保要求。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过高的电压?
    答:建议添加额外的电压钳位电路,如TVS二极管,以保护MOSFET免受电压瞬态冲击。
    2. 问:如何优化热管理?
    答:可以通过增加散热片、优化PCB布局来增强热传导路径,降低工作温度,提升长期稳定性。
    3. 问:如何选择合适的栅极电阻?
    答:根据具体应用场景选择合适的栅极电阻值,一般推荐的值为10-20Ω,以平衡开关速度和EMI噪声。

    总结和推荐


    JCS630FA-VB MOSFET凭借其出色的高电压隔离能力、低热阻、快速开关时间和高可靠性的特点,在多种应用领域中表现出色。无论是用于工业自动化还是电源管理系统,这款MOSFET都能提供卓越的性能和可靠性。因此,强烈推荐给寻求高效、高性能解决方案的设计工程师。

JCS630FA-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS630FA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS630FA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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JCS630FA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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