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2SK3902-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,75A,RDS(ON),11mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263\n由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,适合用于开关电源、逆变器和电源管理模块,以提供稳定可靠的电力输出。
供应商型号: 2SK3902-ZK-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3902-ZK-VB

2SK3902-ZK-VB概述


    产品简介


    2SK3902-ZK-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的 N 沟道 60V (D-S) 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要特征包括高结温耐受能力和先进的沟槽场效应技术(TrenchFET®),适用于多种高温工业应用。该产品具有卓越的电气特性和可靠性,适用于汽车、工业控制、电源管理及电力转换等众多领域。

    技术参数


    以下是该产品的一些关键技术和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 栅源电压:\( V{GS} \pm 20 \) V
    - 持续漏极电流(结温 \( TJ \) = 175 °C):75 A
    - 脉冲漏极电流:200 A
    - 漏极连续电流(二极管导通):50 A
    - 单次雪崩电流:50 A
    - 单次雪崩能量(占空比 ≤ 1%):125 mJ
    - 最大功耗:136 W
    - 结温范围:\(-55\) °C 到 \(175\) °C
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻:\( R{thJA} \) 为 15 °C/W(动态情况下)
    - 最大结到外壳热阻:\( R{thJC} \) 为 0.85 °C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压:\( V{DS} \) = 60 V
    - 栅阈电压:\( V{GS(th)} \) = 1 V 至 3 V
    - 栅体漏电:\( I{GSS} \) = \( \pm 100 \) nA
    - 零栅电压漏电流:\( I{DSS} \) = 1 µA
    - 动态参数
    - 输入电容:\( C{iss} \) = 4300 pF
    - 输出电容:\( C{oss} \) = 470 pF
    - 反向转移电容:\( C{rss} \) = 225 pF
    - 总栅电荷:\( Qg \) = 47 nC
    - 动态性能
    - 开启延迟时间:\( t{d(on)} \) = 10 ns 至 20 ns
    - 上升时间:\( tr \) = 15 ns 至 25 ns
    - 关闭延迟时间:\( t{d(off)} \) = 35 ns 至 50 ns
    - 下降时间:\( tf \) = 20 ns 至 30 ns

    产品特点和优势


    2SK3902-ZK-VB 的主要特点和优势包括:
    - 高温耐受能力:最高结温可达175 °C,适合严苛的工业环境。
    - TrenchFET® 技术:减少导通电阻,提高能效。
    - 低栅泄漏电流:确保高可靠性。
    - 快速开关特性:提高效率并降低损耗。
    这些特点使其在汽车、工业自动化等领域表现出色,尤其是在需要高性能和高可靠性的应用中。

    应用案例和使用建议


    该产品的应用场景广泛,例如:
    - 汽车应用:用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动系统。
    - 工业控制:应用于工业电源和逆变器系统。
    - 消费电子:用于各种家用电器的电源转换模块。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,注意散热设计以防止过热。
    - 在高频开关应用中,使用低杂散电感布局以优化性能。

    兼容性和支持


    该产品采用标准 D2PAK 封装,与同类封装的 MOSFET 完全兼容,可轻松替换。制造商提供详尽的技术文档和在线技术支持,确保用户能够充分发挥产品性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品过热
    - 解决方案:优化电路板设计,增加散热片。
    - 问题:开关速度慢
    - 解决方案:减小栅极电阻,选择更合适的驱动电路。
    - 问题:漏电流过大
    - 解决方案:检查连接线是否有短路现象,更换合适的连接线材料。

    总结和推荐


    总体来看,2SK3902-ZK-VB是一款性能优越、高度可靠的 N 沟道 MOSFET,特别适用于高温和高可靠性要求的应用场景。其高耐温性和出色的动态性能使其成为市场上非常具有竞争力的产品。我们强烈推荐这款产品用于需要高性能 MOSFET 的各种工业和消费电子产品中。

2SK3902-ZK-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@10V,12mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 75A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3902-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3902-ZK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3902-ZK-VB 2SK3902-ZK-VB数据手册

2SK3902-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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