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K2232-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K2232-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2232-VB

K2232-VB概述

    K2232-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2232-VB 是一款 N-通道 60V 漏源电压(D-S)MOSFET。该产品主要用于电力转换和控制应用,如开关电源、电机驱动和电池管理系统等。具有高耐压、低导通电阻及良好的热稳定性等特点,适用于需要高效功率转换的场合。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时 45A
    - TC = 100°C 时 45A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 220A
    - 热阻 (RthJA): 最大值为 65°C/W
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 100mJ
    - 最大功耗 (PD): 52W
    - 体二极管最大瞬态恢复时间 (trr): 140ns
    - 体二极管最大瞬态恢复电荷 (Qrr): 2.8μC
    - 静态漏源击穿电压 (VDS): 60V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0V 至 3.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS = 10V 时 0.027Ω
    - 输入电容 (Ciss): 1500pF
    - 输出电容 (Coss): 100pF
    - 反向传输电容 (Crss): 45pF
    - 总门电荷 (Qg): 95nC
    - 门源电荷 (Qgs): 27nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 46nC
    - 开关时间参数
    - 开启延迟时间 (td(on)): 19ns
    - 上升时间 (tr): 120ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 55ns
    - 下降时间 (tf): 86ns

    产品特点和优势


    - 隔离封装: 提供了高电压隔离(2.5 kVRMS),适用于高压环境。
    - 高温运行能力: 可承受高达 175°C 的工作温度,适合恶劣环境下的使用。
    - 低热阻: 热阻低,有助于散热,提升工作效率。
    - 动态 dV/dt 评级: 适合于高频开关应用。
    - 无铅且符合 RoHS 规范: 环保材料,符合现代标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: K2232-VB 主要应用于高压环境下的开关电源和电机驱动。它可确保高效的功率转换并减少热损失。
    - 使用建议: 在设计时应注意 PCB 布局,尽量减少寄生电感,采用大面积接地平面以提高散热效果。此外,在选择驱动器时,应考虑其与 K2232-VB 的匹配性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K2232-VB 与市场上常见的驱动器和其他相关电路板兼容。制造商提供详细的技术文档和支持,帮助客户顺利完成集成。
    - 支持: 台湾 VBsemi 电子产品支持电话:400-655-8788。提供产品规格书、应用指南和技术支持,确保客户能够快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关时间过长
    - 解决方案: 调整驱动器的 RG 值,优化电路布局以降低寄生电感。
    2. 问题: 过热
    - 解决方案: 改善散热设计,增加散热片或者风扇,降低环境温度。
    3. 问题: 功耗过高
    - 解决方案: 重新计算负载需求,调整驱动器设置,降低功耗。

    总结和推荐


    K2232-VB MOSFET 是一款性能卓越的产品,具备高耐压、低热阻和良好的开关特性,非常适合高压环境下的应用。其独特的隔离封装和高温工作能力使其在市场上具备较高的竞争力。建议用户在使用前详细了解产品特性,并根据具体应用场景进行适当的优化设计。总体来说,推荐使用 K2232-VB MOSFET。

K2232-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2232-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2232-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2232-VB K2232-VB数据手册

K2232-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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