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2SK3355-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: 2SK3355-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3355-VB

2SK3355-VB概述

    # 2SK3355-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    2SK3355-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 60V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,以提供卓越的功率处理能力和低热阻封装。该产品广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源和逆变器等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 125°C 下为 65A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 350A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 65A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 211mJ
    - 最大功耗 (PD):
    - 25°C 下为 220W
    - 125°C 下为 70W
    - 绝对最大温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient): 当安装在1平方英寸的PCB上时为 40°C/W
    - 热阻 (Junction-to-Case): 0.65°C/W

    产品特点和优势


    独特功能
    - TrenchFET® 功率 MOSFET: 采用先进工艺,确保高可靠性与高效能。
    - 低热阻封装: 改善散热效果,延长使用寿命。
    - 全检: 100% Rg 和 UIS 测试确保产品质量。
    市场竞争力
    - 高温下仍能保持稳定的性能表现。
    - 适用于多种电力转换及控制应用,能够有效提高系统的效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    实际应用
    2SK3355-VB 广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源和逆变器等场合。例如,在电机驱动应用中,它能够有效地控制电机的速度和方向,同时保证系统稳定运行。
    使用建议
    - 在设计电路时,要充分考虑散热问题,合理规划散热片的位置和大小。
    - 考虑到其高脉冲电流能力,建议在关键应用中配备合适的保护措施,如过流保护和瞬态电压抑制器。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与大多数标准电路板布局兼容,无需额外改动即可集成。
    - 可与多种其他电子元器件配套使用,提升系统整体性能。
    厂商支持
    - 提供详尽的技术文档和支持资源,包括详细的产品手册和设计指南。
    - 客户可以通过服务热线 400-655-8788 获取技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 产品发热过高 | 增加散热片,优化电路布局。 |
    | 性能不稳定 | 检查电路设计,确认供电稳定。 |
    | 输出电流不足 | 检查输入电压,确认电路无损坏。 |

    总结和推荐


    优点

    总结


    - 高效能: 高额定电压和大电流处理能力。
    - 高可靠性: 全检测试确保每颗出厂都达到标准。
    - 易于集成: 具备低热阻封装,兼容性强。
    推荐意见
    总体来看,2SK3355-VB 是一款非常适合在严苛环境中工作的高性能 N 沟道 MOSFET,具有出色的性能和可靠的稳定性。对于需要高性能、高可靠性的应用,强烈推荐使用此产品。

2SK3355-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 150A
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK3355-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3355-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3355-VB 2SK3355-VB数据手册

2SK3355-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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