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TK40P04M1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: TK40P04M1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) TK40P04M1-VB

TK40P04M1-VB概述


    产品简介


    TK40P04M1 N-Channel MOSFET
    产品类型: N-Channel 4-V (D-S) MOSFET
    主要功能: 用于同步整流和电源管理
    应用领域: 适用于各种电源转换设备,如开关电源(SMPS)、逆变器和其他需要高效率转换的应用场景

    技术参数


    电气特性:
    - 最大漏源电压 (VDS): 4 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 25 V
    - 连续漏极电流 (TC = 25 °C): 85 A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 320 mJ
    - 最大功耗 (TC = 25 °C): 312 W
    - 最高工作温度: -55 至 150 °C
    静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 40 V
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.2 V ~ 2.5 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1 µA @ VDS = 40 V, VGS = 0 V
    动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 2380 pF @ VDS = 20 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
    - 输出电容 (Coss): 550 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 250 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 80 nC ~ 120 nC
    其他参数:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.0050 Ω @ VGS = 10 V, ID = 30 A
    - 开关延迟时间 (td(on)): 20 ns ~ 30 ns
    - 反向恢复时间 (trr): 50 ns ~ 75 ns

    产品特点和优势


    特点:
    - 高可靠性: 100% Rg 和 UIS 测试确保产品质量
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在典型工作条件下仅为 0.0050 Ω @ VGS = 10 V
    - 快速开关性能: 开关延迟时间低至 20 ns,上升时间仅需 11 ns
    - 高可靠性设计: 满足严苛的绝对最大额定值条件
    优势:
    - 高效能: 在同步整流应用中提供高效能转换
    - 宽温范围: -55 °C 到 150 °C 的宽工作温度范围使其适用于各种恶劣环境
    - 高功率密度: 小巧封装带来高功率密度和紧凑设计

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换: 适用于各种直流电源转换设备,例如 SMPS 和逆变器
    - 电池管理: 在电池充电器和电池管理系统中作为开关元件
    使用建议:
    - 散热管理: 考虑到高功耗特性,在高温环境下使用时应采取有效的散热措施
    - 驱动电路: 使用合适驱动电路以确保快速开关性能,减少功耗损失
    - 布局优化: PCB 布局时尽量减小寄生电感和电容的影响,提高整体性能

    兼容性和支持


    兼容性:
    - TK40P04M1 与常见的 PCB 封装如 TO-252 高度兼容,方便在多种应用中进行安装
    支持:
    - 客户可以通过厂商提供的服务热线 (400-655-8788) 获取技术支持和维修服务
    - 提供详细的技术文档和应用指南帮助客户正确使用产品

    常见问题与解决方案


    问题 1: 设备在高电流情况下出现过热现象。
    - 解决方案: 检查 PCB 布局和散热设计,考虑使用更大尺寸的散热片或辅助散热设备。
    问题 2: 设备在高温环境中性能下降。
    - 解决方案: 确保设备安装在良好的散热环境中,适当增加散热措施。
    问题 3: 设备在切换过程中产生较大噪声。
    - 解决方案: 优化 PCB 布局,减小寄生电感和电容的影响;选择合适的驱动电路减少干扰。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: 高可靠性、低导通电阻、快速开关性能、宽工作温度范围、高功率密度
    - 缺点: 较高的功耗,需要有效散热管理
    推荐使用:
    - 强烈推荐: 鉴于其高可靠性和广泛适用性,强烈推荐在高要求的电源转换和电池管理系统中使用。
    通过上述分析,可以清晰地了解 TK40P04M1 N-Channel MOSFET 的各项性能参数及其适用范围,为设计工程师和终端用户提供全面的产品使用指导和技术支持。

TK40P04M1-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 85A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TK40P04M1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

TK40P04M1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 TK40P04M1-VB TK40P04M1-VB数据手册

TK40P04M1-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
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