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NP15P04SLG-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:'TO252 用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
供应商型号: NP15P04SLG-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP15P04SLG-E1-AY-VB

NP15P04SLG-E1-AY-VB概述

    # NP15P04SLG-E1-AY P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP15P04SLG-E1-AY 是一种P沟道功率MOSFET(场效应晶体管),专为高性能应用设计。它具备出色的开关特性和低导通电阻,广泛应用于电源管理、电机控制和通信设备等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | -40 | - | - | V |
    | 门极-源极电压 | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | -50 | - | -50 | A |
    | 脉冲漏极电流 | -200 | - | -200 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | -40 | - | -40 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | 80 | - | 80 | mJ |
    | 最大功耗 | 3 | 136 | 45 | W |
    | 热阻 | 50 | 1.1 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:采用先进的TrenchFET技术,提供更高的开关效率和更低的导通电阻。
    2. 低热阻封装:采用低热阻封装,提高散热性能,延长使用寿命。
    3. 全范围测试:通过100% Rg和UIS测试,确保产品的稳定性和可靠性。
    4. 广泛的温度范围:工作温度范围为-55°C到+175°C,适用于恶劣的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NP15P04SLG-E1-AY 在多种电源管理系统中表现优异,例如开关电源、电池充电器和电机驱动电路。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到其较高的功耗,建议在应用时进行良好的散热设计,以避免过热导致的性能下降。
    2. 电路布局:在PCB设计时,尽量减少寄生电容的影响,确保信号的完整性。

    兼容性和支持


    NP15P04SLG-E1-AY 具有良好的兼容性,可与其他主流电子元器件和设备无缝集成。制造商提供详细的技术支持和售后服务,以确保用户能够充分利用其性能优势。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下导通电阻增大 | 改进散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 开关过程中出现振铃现象 | 添加适当的缓冲电路或RC网络。 |
    | 启动时间过长 | 减小栅极电阻,提高驱动能力。 |

    总结和推荐


    NP15P04SLG-E1-AY P沟道功率MOSFET 在各方面表现卓越,特别适合于需要高可靠性、低功耗和高效率的应用场合。它的TrenchFET技术、低热阻封装和全范围测试使其在市场上具有很高的竞争力。综上所述,强烈推荐使用这款产品,尤其是对于那些对可靠性要求高的应用领域。

NP15P04SLG-E1-AY-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 65A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,13mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP15P04SLG-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP15P04SLG-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP15P04SLG-E1-AY-VB NP15P04SLG-E1-AY-VB数据手册

NP15P04SLG-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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型号 价格(含增值税)
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